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東芝推出EMI性能更佳的600V/650V超結N溝道功率MOSFET

2017-02-20 來源:微波射頻網 字號:

東芝公司(TOKYO:6502)旗下存儲與電子元器件解決方案公司近日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結N溝道功率MOSFET,該產品適用于工業和辦公設備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產品。樣品發貨即日啟動,批量生產發貨計劃于3月中旬啟動。

該新系列擁有與東芝當前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導通電阻、高速開關性能,同時,其優化的設計流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且,降低的單位面積導通電阻(RON x A)性能使新的650 v 0.29Ω產品可使用DPAK封裝。該新系列產品適用于需要高效率和小體積的工業和辦公設備電源、筆記本電腦和移動設備適配器和充電器以及電腦和打印機。

新MOSFET產品陣容及主要規格:

注:[1] 在150-210MHz,使用東芝評估板。東芝調查。

關于東芝

東芝公司是一家《財富》全球500強公司,致力于將其在先進電子和電氣產品及系統方面的一流能力運用于三大重點業務領域:更為清潔和安全的維持日常生活的能源業務;保持生活質量的基礎設施業務;以及實現先進的信息社會的存儲業務。在東芝集團的基本承諾“為了人類和地球的明天”的指引下,東芝竭力推動全球業務,并致力于實現一個讓子孫后代可以享有更加美好的生活的世界。

東芝于1875年在東京成立,如今已成為一家有著550家附屬公司的環球企業,全球擁有超過188,000名員工,年銷售額逾5.6萬億日元(500億美元)。(截至2016年3月31日。)

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