新一代UltraCMOS® PE45361是分立式PIN結(jié)二極管功率限幅器的單片替代品，
可提供可靠且可重復(fù)的接收機保護

RF SOI（射頻絕緣體上硅）的發(fā)明者及先進射頻解決方案的先驅(qū)派更（Peregrine）半導(dǎo)體公司宣布推出單片100瓦功率限幅器UltraCMOS® PE45361。作為派更半導(dǎo)體公司功率限幅器系列產(chǎn)品的新一代成員，PE45361建立在備受好評的50瓦UltraCMOS功率限幅器取得極大成功的基礎(chǔ)之上，并添加了更高的脈沖功率處理能力、更低的限幅閾值及正向閾值控制功能。UltraCMOS功率限幅器提供了一種取代砷化鎵（GaAs）分立PIN結(jié)二極管功率限幅器的單片式方案，可保護設(shè)備不會受到過高RF功率、故意干擾及ESD事件的損害。PE45361能夠為測試與測量設(shè)備及無線基礎(chǔ)架構(gòu)收發(fā)器中的敏感低噪聲接收機提供可靠且可重復(fù)的功率保護。

派更半導(dǎo)體公司全球銷售副總裁Colin Hunt表示：“派更半導(dǎo)體的單片功率限幅器為我們的客戶提供了一種增強射頻功率保護的新奇而強大的方案。我們推出的PE45361基于我們UltraCMOS限幅器的關(guān)鍵射頻性能及物料清單（BOM）成本優(yōu)勢，并可提供100瓦功率處理能力，實現(xiàn)較低的限幅閾值，從而保護敏感的低噪聲放大器（LNA）。”

與PIN結(jié)二極管功率限幅器相比，UltraCMOS功率限幅器的響應(yīng)時間和恢復(fù)時間方面加快了10倍，線性度（IIP3 ）改善了10~40 dB，靜電放電（ESD）保護能力提高了20倍。此外，UltraCMOS功率限幅器占用的電路板空間通常也小于PIN結(jié)二極管功率限幅器。最后，UltraCMOS功率限幅器可通過低電流壓控管腳（VCTRL）調(diào)節(jié)限幅閾值，無需配置隔直電容、射頻扼流電感器及偏置電阻器等外接元件。

與其它UltraCMOS功率限幅器一樣，PE45361也設(shè)有兩種工作模式：功率限幅和功率反射，從而最大程度地提高性能與靈活性。用戶可通過可編程管腳VCTRL選擇模式。在功率限幅模式下，限幅器對負載不起作用。當輸入射頻信號功率超過VCTRL設(shè)定的限幅閾值時，限幅器將限制輸入的射頻功率。在極端環(huán)境中使用功率反射模式時，限幅器將把大部分入射功率反射回功率源。

產(chǎn)品特性、封裝、價格與供貨

PE45361功率限幅器覆蓋10 MHz~6 GHz頻段，可為高性能功率限幅應(yīng)用提供卓越的功率保護功能。該限幅器可處理高達50 dBm或100瓦的大脈沖功率，可調(diào)限幅閾值為7 dBm~13 dBm，正向閾值控制為0伏至0.3伏。在6 GHz時，PE45361的低插入損耗為0.95 dB，高回波損耗為12 dB。PE45361的快速響應(yīng)時間僅為0.6納秒，迅捷恢復(fù)時間為1納秒，線性度（IIP3）達37 dBm。PE45361靜電放電功能極強，可達7 kV HBM。

量產(chǎn)零件與評估工具現(xiàn)已上市。PE45361采用緊湊型12引腳3x3mm QFN封裝，訂購1萬片的價格為每片4.30美元。