Gotmic是業界知名的毫米波芯片供應商，專注于40-170GHz的毫米波芯片設計，早在2008年就發布了全世界第一款GaAs 60GHz多功能芯片。

目前產品有多功能芯片、功率放大器、倍頻器、混頻器、衰減器開關和檢波器等。主要應用包括：毫米波通信，主動式、被動式安檢成像，機場跑道異物檢測，毫米波測試測量，毫米波防撞系統，軍事國防等

相比較SiGe/CMOS等工藝，基于三五族材料的GaAs/GaN工藝具有更高的輸出功率、更高的線性度和更佳的噪聲系數， 更適合用在5G通信的毫米波數據回傳。

圖1、毫米波數據回傳

1、Tx EVB套件

EVB-gTSC0020，RF：52-72GHz，LO：9-11GHz，IF：DC-12GHz

EVB-gTSC0023，RF: 71-86GHz，LO:11.8-14.3GHz，IF:DC-12GHz

圖2、Tx框圖和實物圖

Tx多功能芯片具有完整的發射鏈路功能，包括25dB的增益可調范圍VGA，6倍頻器Multiplier，IQ混頻器和驅動放大器MPA，具有高輸出功率/高線性度等特點。EVB的IF中頻連接頭SMA，LO也是SMA連接頭，V波段WR-15標準波導接口， E波段采用WR-12標準波導接口。

EVB評估板套件，段覆蓋V/E波段，21dB變頻增益，25dB增益可調；

V波段：P1=+20dBm， OIP3=+26dBm；

E波段：P1=+16dBm，OIP3=+26dBm。

2、RX EVB套件

EVB-gRSC0016: 55-66GHz

EVB-gRSC0012/0014: 71-76GHz

EVB-gRSC0013/0015: 81-86GHz

圖3、Rx框圖和實物圖

接收Rx多功能芯片，內部集成了低噪聲放大器、IQ混頻器和本振X6倍頻器，可采用零中頻方案。低噪聲放大器具有高增益、低噪聲系數和高線性度等特點，可以支持64QAM以上高階調制。混頻器采用IQ差分結構，抗干擾性強，可以抑制鏡像干擾，同時具有高線性度、低插損特點。6倍頻器在整個E波段具有很低的諧波分量和優秀的平坦度，大大簡化了LO鏈路結構。

EVB的IF中頻連接頭SMA，LO也是SMA連接頭，V波段WR-15標準波導接口，E波段采用WR-12標準波導接口。

指標特點：高集成度，寬中頻IF:DC-12GHz，高變頻增益，低噪聲系數。

V BAND NF=4dB

E BAND NF=6dB

圖4、EVB專用電源板套件

3、EVB測試數據

利用諧波混頻器，測試Tx EVB的發射功率指標，在125MHz帶寬實現非常好的平坦度和鄰近信道比（ACPR）。

圖5、頻譜分析儀測試TX EVB，BW=125MHz

Tx和Rx EVB加modem信號聯調測試，中間利用手動可調、精確可讀衰減器模擬實際傳輸過程中的衰減。

圖6、64QAM EVM測試

圖7、128QAM EVB測試

據Gotmic中國區總代理，上海馥萊電子有限公司總經理王明福先生介紹，Gotmic正在積極研發下一代更好指標的多功能芯片，加大增益控制范圍，提供線性度，改善SNR，目標最高支持到QAM 1024。