以優(yōu)異的高輸出與低失真特性，助力衛(wèi)星通信地面站的小型化

三菱電機株式會社于11月1日發(fā)售Ka波段^※1衛(wèi)星通信地面站功率放大器的高功率高頻率晶體管新產(chǎn)品，即實現(xiàn)了高達8W的輸出功率和兼具功率放大信號低失真特性的“衛(wèi)星通信地面站Ka波段GaN^※2HEMT^※3MMIC^※4”。該產(chǎn)品具有更高輸出和更低失真特性，將有助于衛(wèi)星通信地面站的小型化。

衛(wèi)星通信地面站Ka波段GaN HEMT MMIC“MGFG5H3001”

※1　頻率26GHz～40GHz的微波
※2　Gallium Nitride：氮化鎵
※3　High Electron Mobility Transistor：高遷移率晶體管
※4　Monolithic Microwave Integrated Circuit：單片微波集成電路

新產(chǎn)品的特點

1．良好的輸出功率，有助于衛(wèi)星通信地面站的小型化

? 新產(chǎn)品采用了具有良好高輸出功率適應(yīng)性的GaN設(shè)備，并進一步優(yōu)化了晶體管結(jié)構(gòu)，從而實現(xiàn)了高達8W的輸出功率。

? 在一個GaN的芯片上配備多個放大用晶體管、匹配電路、線性化器^※5

? 減少了功率放大器末級的零部件構(gòu)成數(shù)量，將有效促進衛(wèi)星通信地面站的小型化。

※5　用于修復(fù)功率放大器信號失真的器件

2．通過優(yōu)質(zhì)的低失真特性，提高信號質(zhì)量，促進小型化

? 將以往一直安裝在外部的線性化器轉(zhuǎn)為內(nèi)置，從而實現(xiàn)了良好的功率放大信號的低失真特性。

? 通過提高通信設(shè)備的信號質(zhì)量,以及減少失真補償電路的數(shù)量，將有效促進地面站的小型化。

3．?dāng)U充產(chǎn)品陣容，以適用于多樣化的衛(wèi)星通信地面站

? 在Ku波段^※6的基礎(chǔ)上，增加Ka波段產(chǎn)品，以更加充實的產(chǎn)品陣容滿足衛(wèi)星通信地面站的多樣化需求。

※6　頻率12GHz～18GHz的微波

發(fā)售概要

產(chǎn)品名	型號	概要			發(fā)銷日期
		頻率	輸出 功率	線性 增益
衛(wèi)星通信地面站 Ka波段 GaN HEMT MMIC	MGFG5H3001	27.5 ～31.0 GHz	39.0dBm （8W）	15.0dB	11月1日

銷售目標(biāo)

衛(wèi)星通信用于確保災(zāi)時通信，以及為因地理原因而難以搭建地面通信網(wǎng)的地區(qū)提供高速通信手段。近年來，衛(wèi)星通信所使用的信號越來越趨于高頻率化，因此除目前主流的C波段※7 和Ku波段外，高頻率Ka波段的需求亦不斷擴大。

為滿足上述需求，我公司特推出實現(xiàn)了高達8W的輸出功率和配備良好低失真特性的Ka波段產(chǎn)品——衛(wèi)星通信地面站用Ka波段GaN HEMT MMIC，助力地面站的小型化。今后，我們將繼續(xù)擴大具有更高輸出功率和更高效率的產(chǎn)品陣容，擴充不同頻段的衛(wèi)星通信用產(chǎn)品系列。

本產(chǎn)品的開發(fā)部分得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

※7　頻率4GHz～8GHz的微波

主要規(guī)格

型號		MGFG5H3001
漏極?源極電壓	VDS※8	24V
頻率	Freq.	27.5GHz～31.0GHz（Ka波段）
飽和出力電力	Pout※9（標(biāo)準(zhǔn)值）	8W
線性增益	Glp※10（標(biāo)準(zhǔn)值）	15.0dB

※8　Drain to Source Voltage：漏極?源極電壓
※9　Output Power
※10　Linear Gain

衛(wèi)星通信地面站功率放大器的產(chǎn)品陣容

頻率	型號	輸出功率 [W]	線性增益  [dB]
Ka波段	MGFG5H3001	8	15.0
Ku波段	MGFG5H1503	20	20.0
	MGFK47G3745A	50	8.0
	MGFK48G3745	70	10.0
	MGFK49G3745	80	7.5
	MGFK50G3745	100	10.0