關(guān)鍵型IFF和航空電子應(yīng)用的信號完整性和范圍得到大幅提升

移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo®, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）RF晶體管--- QPD1025。QPD1025在65 V下運行1.8KW，提供出色的信號完整性和更大的范圍，這對L頻段航空電子應(yīng)用來說至關(guān)重要。

Strategy Analytics公司的戰(zhàn)略技術(shù)實踐執(zhí)行總監(jiān)Asif Anwar表示，“Qorvo的QPD1025晶體管對市場來說是真正顛覆性的產(chǎn)品。提供與硅基LDMOS和硅雙極器件相比，它不僅具備相同的脈沖功率和占空比性能，在效率上還有了顯著提升。Qorvo推出的這款高功率和高效率解決方案，在熱管理工藝流程中無需采用金剛石等耐高溫材料，具備極高的高性價比。”

Qorvo高功率解決方案部總經(jīng)理Roger Hall表示，“這款新型高功率晶體管無需結(jié)合放大器的復雜操作便可實現(xiàn)數(shù)千瓦的解決方案，能夠大幅節(jié)省客戶的時間和成本。與LDMOS相比，QPD1025的漏極效率有了顯著提升，效率高出近15個百分點，這對IFF和航空電子應(yīng)用來說都非常重要。”

Qorvo提供業(yè)內(nèi)種類最多、最具創(chuàng)意的GaN-on-SiC產(chǎn)品組合。Qorvo產(chǎn)品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工藝成熟的特點，早在2000年就開始批量生產(chǎn)。有關(guān)Qorvo的GaN-on-SiC產(chǎn)品優(yōu)勢的更多信息，請參見這里和觀看視頻。

QPD1025的工程樣品現(xiàn)已上市。