宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A 的功率級集成電路，專為48 V DC/DC轉(zhuǎn)換而設(shè)計，用于具有高功率密度的運(yùn)算應(yīng)用及針對電動車的電機(jī)驅(qū)動器。

EPC2152是一個單芯片驅(qū)動器并配以基于氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN® FET）、采用EPC 專有的氮化鎵集成電路技術(shù)的半橋功率級。在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉(zhuǎn)換電路、自舉充電電路、柵極驅(qū)動器的緩沖電路及配置為半橋器件的輸出氮化鎵場效應(yīng)晶體管，從而實現(xiàn)芯片級LGA 封裝及細(xì)小的外形尺寸（3.9 毫米x 2.6 毫米x 0.63 毫米）。

當(dāng)48 V 轉(zhuǎn)到12 V 的降壓轉(zhuǎn)換器在1 MHz 的開關(guān)頻率下工作，EPC2152 ePower 功率級集成電路可實現(xiàn)高于96% 的峰值效率，相比采用多個分立器件的解決方案，這個集成電路在PCB 的占板面積少33%。其峰值效率比分立式MOSFET 或基于單片MOSFET 集成電路的功率級優(yōu)勝很多。

EPC2152 是該系列的首個產(chǎn)品。該系列在未來會進(jìn)一步推出采用芯片級封裝（CSP）及多芯片四方偏平模塊（QFM）的功率級IC。在未來一年內(nèi)將推出可在高達(dá)3至5 MHz 頻率范圍工作、每級功率級的電流可高達(dá)15 A 至30 A 的產(chǎn)品。

該產(chǎn)品系列使得設(shè)計師可以容易發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的性能優(yōu)勢。集成多個器件在單芯片上，設(shè)計師可以更容易設(shè)計、布局、組裝、節(jié)省占板面積及提高效率。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow 說：“分立式功率晶體管正在進(jìn)入它的最后發(fā)展階段。硅基氮化鎵集成電路可以實現(xiàn)更高的性能、占板面積更小，省卻很多所需工程。”Alex 繼續(xù)說：“這個全新功率級集成電路系列是氮化鎵功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的最新發(fā)展里程，從集成多個分立式器件，以至集成更復(fù)雜的解決方案都可以，從而實現(xiàn)硅基解決方案所不能實現(xiàn)的電路性能、使得功率系統(tǒng)工程師可以更容易設(shè)計出高效的功率系統(tǒng)。”

EPC90120是一塊半橋開發(fā)板，其最高器件電壓是80 V、最高輸出電流為12. 5 A，內(nèi)含ePower™ 功率級集成電路（EPC2152）。該板的尺寸為兩英寸乘兩英寸（50.8 毫米乘50.8 毫米），可實現(xiàn)最優(yōu)開關(guān)性能。開發(fā)板包含所有重要元件，讓工程師容易對EPC2152 進(jìn)行評估。

ePower 功率級集成電路（EPC2152）及其開發(fā)板EPC90120 可以立即從Digikey 公司購買。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，為首家公司推出替代功率MOSFET 器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN ）場效應(yīng)晶體管及集成電路之一，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、 無線電源傳送、 包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(dá)（LiDAR） 及D類音訊放大器等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴(kuò)大基于eGaN IC 的產(chǎn)品系列，為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。詳情請訪問宜普的網(wǎng)站，網(wǎng)址為www.epc-co.com.cn。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation 宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊商標(biāo)。