雙層石墨烯提供了一個(gè)有趣的平臺(tái)，通過(guò)這個(gè)平臺(tái)可以觀察不同于單層石墨烯中的新穎電子效應(yīng)，因?yàn)殡p層石墨烯有一個(gè)可以通過(guò)電場(chǎng)調(diào)節(jié)的能帶隙。而且，其“域邊界”(domain boundaries)上據(jù)預(yù)測(cè)還存在“拓?fù)涔?rdquo;(topological valley)極化模式。在這項(xiàng)研究中，F(xiàn)eng Wang及同事利用近場(chǎng)光學(xué)成像和低溫輸運(yùn)測(cè)量發(fā)現(xiàn)，這樣的模式的確存在于有能帶隙的雙層石墨烯中。這一發(fā)現(xiàn)為研究雙層石墨烯中可以通過(guò)電場(chǎng)調(diào)節(jié)的拓?fù)鋺B(tài)提供了可能性。

晶圓尺度的半導(dǎo)體薄膜

半導(dǎo)體過(guò)渡金屬二硫族化物(TMDs)單層材料(只有三個(gè)原子那么厚)是有望用于下一代納米電子和光電子系統(tǒng)的材料。在這項(xiàng)研究中，Jiwoong Park及同事描述了通過(guò)向絕緣的二氧化硅晶圓上進(jìn)行化學(xué)氣相沉積來(lái)制造TMD單層材料的一個(gè)新方法，它可以生成具有均勻性質(zhì)的晶圓尺度的大面積材料。這樣獲得的材料在室溫下具有高電子遷移率，而且它在整個(gè)四英寸范圍內(nèi)都是高度恒定的。通過(guò)該方法能以99%的器件產(chǎn)率制造場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這項(xiàng)工作顯示了用TMD單層材料以晶圓尺度批量制造高性能器件的實(shí)用性。