電子科技大學國家電磁輻射控制材料工程技術研究中心彭波教授及研究團隊在MoS₂/ CH₃NH₃PbI₃異質結研究方面取得重要進展，系列研究結果近期分別發表在《ACS Nano》《2D Materials》《Nanoscale》等該領域的有重要國際影響的刊物上。

界面電荷轉移是光電器件領域中的核心科學問題。彭波教授開展了單層MoS₂ 中S原子空穴設計與調控的研究，突破了pristine MoS₂/ CH₃NH₃PbI₃ Type I型異質結的限制，實現了CH₃NH₃PbI₃ 中的空穴向單層MoS₂超快高效轉移（320 fs，83%），達到國際先進水平（spiro-OMeTAD₁，86%）。在超薄、高效、柔性光電器件領域具有廣闊的應用前景。該工作發表在《ACS Nano》-Achieving Ultrafast Hole Transfer at the MonolayerMoS₂ and CH₃NH₃PbI₃ Interface by Defect Engineering, DOI: 10.1021/acsnano.6b02845, 2016(In press)。

彭波教授開展的原子層MoS₂/ WSe₂p-n 異質結的研究，提出了量子隧穿效應主導界面電荷轉移，提升了對界面超快電荷轉移物理機制的認識水平，實現了WSe₂ 中的電子向單層MoS₂ 的超快高效轉移（470 fs），效率高達99%，在超快光電探測器領域極具應用前景（<1ps）。該工作發表在《2D Materials》-Ultrafast charge transfer in MoS₂/ WSe₂p-n Heterojunction, 2016, 3, 025020。

彭波突破了尺寸小于300nm單分散性彩色電泳納米顆粒的制備技術，在理論和實驗上深入研究了納米顆粒的電泳動力學行為，提升了彩色電泳顯示器的理論和制作水平，實現了彩色顯示。該研究成果發表在《Nanoscale》-Monodisperse light color nanoparticle ink toward chromatic electrophoretic displays, 2016, 8, 10917。

彭波，2005年畢業于蘭州大學化學系本科；2010年畢業于中國科學研理化技術研究所（北京），獲博士學位。2010年6-2013年12月，在新加坡南洋理工大學物理與應用物理系從事表面等離激元光學研究工作；2014年1月-2015年5月，在新加坡國立大學先進二維材料與石墨烯研究中心，從事單層二維材料、鈣鈦礦異質結界面電荷轉移研究工作。2015年6月加入微固學院、國家電磁輻射控制材料工程技術研究中心。近幾年，他在Nano Today、ACS Nano、Nano lett、Adv Mater等國際知名學術期刊上發表論文35篇（其中2016年5篇：4篇第一作者，JCR 1區），均被SCI收錄，ISI引用1000余次，Google引用1200余次，h指數20。

《ACS Nano》影響因子12.88，JCR 1區期刊，屬于工程與計算大學科、材料與化學兩大領域內的頂尖期刊。在google對工程與計算科學大學科領域所有雜志的排名中列第3，在材料與化學大學科領域所有雜志中排名第7（由于第二第三均是綜述類雜志，所以實際為第5）。《Nanoscale》影響因子7.39，JCR 1區，是工程與計算大學科領域內的頂尖期刊。在google對工程與計算科學大學科領域所有雜志的排名中列第19。《2D Materials》2016年第一次出影響因子，預測將大于8.0。

論文鏈接：
1、ACS Nano
pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsnano.6b02845
2、2D Materials
iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1583/3/2/025020
3、Nanoscale
pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/nr/c6nr02524b#!divAbstract
4、Google Scholar
scholar.google.com/citations?hl=en&user=r5EmzfMAAAAJ&view_op=list_works&sortby=pubdate