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超越CMOS,英特爾探索邏輯器件的未來

2018-12-17 來源:微波射頻網 字號:

12 月3 日,《自然》雜志發表了一篇有關下一代邏輯器件的研究論文,作者包括英特爾、加州大學伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員。這篇論文描述了一種由英特爾發明的磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件。相較于目前的互補金屬氧化物半導體(CMOS),MESO 器件結合超低休眠狀態功率,有望把電壓降低5 倍、能耗降低10-30 倍。在探求不斷微縮CMOS 的同時,英特爾一直在研究超越CMOS 時代的未來十年即將出現的計算邏輯選項,推動計算能效提升,并跨越不同的計算架構促進性能增長。

超越CMOS,英特爾探索邏輯器件的未來

英特爾資深院士兼技術與制造事業部探索性集成電路組總監Ian Young 表示,“我們正在研究超越CMOS 時代的計算方案,尋求革命性而不是演進性的突破。MESO 以低壓互連和低壓磁電為基礎,將量子材料創新與計算結合在一起。我們對已經取得的進展感到非常興奮,并期待著發揮其潛力,未來做出進一步降低翻轉電壓的演示。”

英特爾研究人員發明的MESO 器件,考慮到了未來計算所需的關于存儲器、互連線和邏輯的要求。英特爾已經做出了該MESO 器件的原型,采用的是在室溫下呈現新興量子行為的量子材料,以及由Ramamoorthy Ramesh 開發的磁電材料(Ramamoorthy Ramesh 就任于加州大學伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室)。MESO 還利用了由Albert Fert 描述的自旋軌道超導效應(Spin-orbit transduction effects,Albert Fert 就任于法國國家科學研究院/泰雷茲集團聯合物理研究組)。

英特爾功能電子集成與制造科技中心主任、資深科學家Sasikanth Manipatruni 表示:“MESO 器件基于室溫量子材料開發。它展現了該技術的可能性,并有望在業界、學術界和各國家實驗室中引發新一輪創新。而這種新型計算器件和架構所需的許多關鍵材料和技術,還需要進行更多開發。”

主題閱讀: 英特爾  邏輯器件  CMOS
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