Cree公司日前宣布，該公司將關閉旗下Cree Microwave公司不盈利的硅射頻(RF)和微波半導體業務，將業務重點放在SiC和GaN射頻以及微波產品方面。
Cree公司在美國加州Sunnyvale設有工廠，使用LDMOS(laterally-diffused metal oxide semiconductor)技術制造硅微波半導體。Cree Microwave將6月份接受最后一筆硅LDMOS產品訂單，并在十二月關閉Sunnyvale工廠。根據一份報告，Cree公司將要解雇Sunnyvale工廠的80名雇員。
雖然Cree公司在3月27號結束的財政季度銷售收入比上年同期增加，但是該公司的硅微波業務已經無利可圖。在3月27日前的9個月，Cree公司這部分業務招致920萬美元的稅前虧損。
Cree公司預計，支付1,300萬到1,500萬美元作為關閉Sunnyvale工廠的費用，其中包括180萬到190萬美元的員工遣散費，600萬到800萬美元用來庫存和設備損失，470萬美元用于租約產生的費用。
據悉，Cree公司將繼續使用Cree Microwave品牌，用于基于SiC和GaN技術的寬隙射頻和微波產品。該公司也將在2005年稍晚，把Sunnyvale工廠生產肖特基二極管的業務轉移到Durham工廠。
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