高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱瑞薩電子）正式宣布了加強公司化合物半導體業務的新目標，包括由化合物半導體（如砷化鎵（GaAs））構成的光學器件和微波器件。瑞薩電子計劃：（1）利用光電耦合器、RF（射頻）開關IC和其它重點產品獲取全球最大的市場份額(注釋 1) 。（2）在2011年3月之前推出氮化鎵（GaN）基半導體產品。

瑞薩電子預計，2010財年到2012財年化合物半導體市場的年平均增長率將達到8%。實現這一目標之后，公司預計可以將其化合物半導體業務擴大11%，超過了市場增長率。公司還計劃，到2012財年將化合物半導體銷售額提高1.2倍，從而成為業內領先的化合物半導體供應商。

• (1) 利用光電耦合器、RF開關IC和其他重點產品獲取世界最大的市場份額

  瑞薩電子的目標是在光電耦合器和光學存儲器件 (注釋 2) 市場上獲取最大的份額，并進一步提高其RF開關IC和GaAs低噪聲場效應晶體管 (FETs, 注釋 3)

  • [光電耦合器]

    瑞薩電子計劃加快開發高溫操作、低功耗和小型封裝，以便滿足 “綠色” 市場不斷增長的需求，如混合動力和電動車、LED照明系統與電表。
    公司計劃通過結合面向高壓和大電流輸出的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）與微控制器（MCU）來進一步拓展光電耦合器的銷售。公司特別決定通過將職員總數增加1倍來加強其海外營銷職能。
    并且，市場需求預計將會大幅增長，因此瑞薩電子計劃將其生產容量在2009年第4季度的基礎上擴大1倍。
    通過上述措施，瑞薩電子將努力在2011財年獲取光點耦合器市場世界最大份額。

  • [RF 開關 ICs]

    至于可以在具有RF功能的電子器件（如手機和筆記本電腦）上實現收發轉換、3G-GSM轉換和天線轉換的RF開關IC，瑞薩電子計劃采用業內領先的新型低損耗晶體管，并推出采用小型封裝技術的產品。
    為了靈活地滿足客戶需求，瑞薩電子將推出采用超小型封裝的RF開關IC產品或以裸晶片的形式推出RF開關IC。公司還計劃通過與美國、歐洲和中國臺灣的芯片集供應商合作來擴展RF開關IC業務，從而為系統制造商提供參考設計。
    通過實現這些目標，瑞薩電子力圖獲取世界最大的RF開關IC市場份額。

• (2) 在2011年3月之前推出GaN基半導體產品

  GaN 能夠在比現有半導體材料（如硅（Si）和GaAs）高的頻率、輸出功率和溫度下運行，并且其工作頻率比SiC（碳化硅）高得多，因而能夠為高頻應用實現更高的擊穿電壓和高速操作。
  與其他將多層制造方法應用到直徑為3~4英寸的SiC基片上的公司不同，瑞薩電子通過將GaN層堆疊到Si基片上來生產電路。這種方法可以實現更大的晶圓（6英寸晶圓），并且還能夠以較低的成本生產半導體器件。
  瑞薩電子計劃先推出面向CATV（有線電視）放大器市場的、高可靠性、高功能GaN基產品。預計2011年3月開始發售瑞薩電子的首款GaN基產品樣品 - 一款面向CATV的標準器件，它整合了多個GaN FET、冷凝器和其他器件。

今后，瑞薩電子將力圖進一步提高其重點產品（如光電耦合器和RF開關IC）的市場份額，并通過培育需要大功率和高頻率的市場（如CATV放大器、微波和毫米波器件）、利用新開發的GaN基產品擴展化合物半導體業務。

• (注釋 1) 資料來源：瑞薩電子。
• (注釋 2) 可見激光二極管、PDIC。
• (注釋 3) FET（場效應晶體管）：一種能夠實現高速轉換的晶體管結構。

關于瑞薩電子

瑞薩電子株式會社（TSE：6723）作為全球首屈一指的MCU（微控制器）供應商，也是先進半導體解決方案的首選供應商，產品包括MCU、SoC解決方案和廣泛的模擬及電源器件。自2010年4月，NEC電子株式會社（TSE：6723）與株式會社瑞薩科技整合之后，瑞薩電子開始正式運營，其業務覆蓋了面向各種應用的研究、開發、設計和生產。瑞薩電子總部位于日本，在全球20個國家設有分公司。欲了解更多信息，敬請訪問 www.renesas.com。