科銳公司（Nasdaq: CREE）日前宣布，截至2011 年 4 月，公司的無線射頻（RF）業(yè)務部門已出貨的商用碳化硅襯底氮化鎵 (GaN-on-SiC) RF 功率晶體管和 MMIC 產(chǎn)品的合計 RF 輸出功率已突破 10 兆瓦。這一里程碑式成果充分說明了科銳的氮化鎵HEMT 和氮化鎵 MMIC 技術(shù)擁有高兼容性、可靠性和業(yè)經(jīng)證明的優(yōu)異性能。這 10 兆瓦中只包括商用 RF 產(chǎn)品，不包含氮化鎵 MMIC 晶圓代工業(yè)務的 1.5 兆瓦出貨量。
　
在實現(xiàn)里程碑式出貨量的同時，科銳還保持著每10億器件小時內(nèi)低于10次的超低計次失效率 (FIT率)，這比其它 RF 功率晶體管技術(shù)的標準計次失效率（ FIT 率）低 80%。
　
科銳公司 無線射頻（RF）總監(jiān) Jim Milligan 表示：“我們的碳化硅襯底氮化鎵器件累計實地工作時間已經(jīng)超過 14 億小時，其可靠性超過其它高壓硅技術(shù)或者砷化鎵技術(shù)，是目前為止國內(nèi)氮化鎵器件供應商已知的累計現(xiàn)場數(shù)據(jù)中的最大值，其中不僅包含分立晶體管，還包含復雜的多級氮化鎵 MMIC。這10兆瓦里程碑式的出貨量充分證明了科銳的氮化鎵技術(shù)已被迅速廣泛采用，涉及領(lǐng)域不僅包括軍事應用，還包括電信基站、寬帶測試設備、民用雷達和醫(yī)療應用等。如果我們以現(xiàn)在的速度繼續(xù)向這些新的細分市場擴張， 2011年底我們的出貨量有望在 10 兆瓦的基礎上再翻一番。”
　
作為美國最大的碳化硅襯底氮化鎵 RF 晶圓處理技術(shù)的生產(chǎn)商，科銳已經(jīng)開發(fā)出品類豐富全面的氮化鎵 HEMT 和氮化鎵 MMIC 產(chǎn)品，旨在滿足數(shù)量不斷增加的 RF 陣列和微波應用對寬波段、高效率和高可靠性的要求。
　
25 年來，科銳不斷將創(chuàng)造性、突破性的創(chuàng)新成果帶到半導體行業(yè)，從最早的藍光 LED，到全球首款碳化硅 MOSFET，再到業(yè)界第一個碳化硅襯底氮化鎵 MMIC 的問世，科銳一直奮戰(zhàn)于技術(shù)的最前沿。