1.1 概要

　　本項目是利用具有知識產權的先進的氮化鎵微波功率半導體設計與制造技術，在中國建設一個月處理3寸氮化鎵晶圓500片的氮化鎵器件工廠，這將是中國第一家氮化鎵微波功率器件設計制造企業，也是全球最領先的氮化鎵微波功率器件供應商之一。

　　本項目計劃投資2.6億元人民幣，建設期為2年。

　　公司采取整合設計與制造(IDM)的商業模式。

　　公司已經成功開發了多種氮化鎵微波功率器件產品。公司已經向客戶進行樣品投放并獲得了訂單意向。

　　本輪融資是西安能訊微電子有限公司的第二輪融資。

1.2 能訊微電子簡介

　　能訊微電子是由留美歸國團隊于2006年9月創辦的一家高新技術企業，目前實收注冊資本為3000萬元。公司總部位于西安高新區。能訊微電子是中國第一家第三代半導體氮化鎵微波功率器件制造企業。公司已經建設并運營了一條中試生產線，公司已經通過ISO9001:2008質量管理體系認證。

　　公司采取垂直整合設計與制造（IDM）的商業模式，自主開發第三代半導體氮化鎵材料、器件設計和制造工藝技術，生產基于氮化鎵(GaN)的高功率密度微波功率器件，提供高性能的放大器解決方案。這些器件是3G、WiMAX 和 LTE等移動通訊及無線數據基站設備、軍事防衛整機如：雷達、干擾、反措施、通信、制導武器以及廣播和通信衛星整機等應用領域的射頻部件的關鍵元件。采用本公司放大器可以比以往器件提供更高的效率，并在單一放大器上實現更寬的頻段輸出，從而提高系統效率，降低系統復雜程度并提升系統性價比。

　　能訊微電子以成為領先的高能半導體供應商為使命。

1.3 核心技術

　　由國際領先的研發團隊帶領，經過四年時間以及6000萬人民幣投資在本土進行的產品研制與中試開發，西安能訊微電子有限公司已經完全掌握了氮化鎵核心技術，包括材料生長技術、器件設計技術、制造工藝技術、器件封裝技術以及應用電路技術。圍繞這些核心技術，公司擁有了10項國內發明專利、4項實用新型專利和1項國際發明專利申請（PCT）。

　　氮化鎵功率器件技術在國內目前屬于空白，中國還沒有企業具有生產此類產品的技術能力。公司先后承擔了國家級、省部級科技項目如下：

　　（1）國家重大科技專項“核高基” ：核心電子器件專項之C波段氮化鎵器件項目；
　　（2）2009年國家發改委“中央投資電子信息產業振興和技改項目”；
　　（3）2008年度科技部“中小企業創新基金”項目；
　　（4）2007年陜西省重大科技創新項目；
　　（5）2007年西安市高新技術產業發展專項重大項目；

1.4產品

　　能訊的微波功率器件產品形式可以分為三種形式：無匹配的晶體管芯片、經過匹配后封裝的放大器件以及單片微波集成電路。能訊微電子目前計劃在以下市場投放產品：

　　（1）用于商用無線通信（3G/LTE等）基站的功率放大器(BS系列)；
　　（2）用于雷達的功率放大器（RA系列）；
　　（3）用于寬頻帶通信的放大器(WP系列)；
　　（4）用于電子對抗的寬頻帶放大器(EW系列)；
　　（5）用于衛星通信的放大器(SC系列)。

　　能訊微電子的氮化鎵微波功率器件產品能夠帶給客戶的價值體現在四個方面：

　　（1）更高效率：降低運行成本，提高功率密度并減小尺寸，最終降低總擁有成本；
　　（2）更高帶寬和更好的線性度：更好的通用性，用更少的器件實現全頻率帶寬覆蓋，減少開發成本；
　　（3）更高的偏置電壓：用更小的電流實現同等功率的輸出，降低熱損，從而降低熱管理成本；
　　（4）更高的節溫：提升可靠性，延長MTTF，同時也減少了散熱需求，從而降低系統整體成本。

1.5市場與競爭

　　能訊微電子的產品潛在市場非常廣闊而且正在高速增長之中。Data beans在《2010 Wireless Semiconductors》報告指出，全球無線半導體為僅次于計算機半導體的第二大半導體市場，其中功率放大器、收發器以及低噪聲放大器市場在2010年將實現為148億美元銷售，未來五年間預測將以CAGR 9%成長。

　　目前，硅基的LDMOS器件占據了功率放大器市場的90%市場份額，而剩余的10%則被砷化鎵pHEMT技術所占領。然而，氮化鎵HEMT的興起將打破這種平衡，市場調查機構Yole Developpement預計2010年氮化鎵微波功率放大器就可以實現1億美元的銷售。

　　由于能訊公司的氮化鎵功率器件切入市場的策略是先瞄準硅功率器件性能無法達到的市場，因此氮化鎵功率器件將面臨硅工業不斷改進的競爭壓力，同時也需要與看到這一趨勢的世界范圍內其他氮化鎵功率器件同業者開展競爭。目前，能夠提供氮化鎵大功率微波器件的廠商只有5家，分別是Cree、Sumitomo(原Eudyna)、Triquint、RFMD和Ntronix。與這些廠商相比，能訊公司的優勢如下：

　　（1）成本優勢。因為GaN前期開發的成本極其巨大，現在市場上進口產品的絕大部分價格包含的是這方面的成本。能訊的這一過程已用非常低的投入完成了。
　　（2）周到和及時的服務。國外供應商在中國的代理無論是在技術水平和規模上都無法和本土企業在這方面比擬。另外，能訊能夠根據國內廠商的具體要求有針對性的開發其需要的產品。
　　（3）技術支持。能訊公司可以利用本土優勢，幫助下游客戶加強對器件技術的更深的理解，這將有助于客戶深挖器件潛力，開發出更有競爭力的設備產品。出于技術保密以及禁運的因素，國外廠商往往無法達到能訊的技術支持力度。

　　因此，公司管理層制定了如下的市場目標：成為中國最大的氮化鎵電子器件廠商；公司第一規模工廠穩定量產后實現年銷售收入17.9億元人民幣，預計占全球氮化鎵微波市場的8%，占中國市場33%以上。

1.6 核心團隊

　　能訊的核心團隊成員曾在美國著名的半導體公司工作多年，有著豐富的半導體器件設計制造及管理經驗。簡要介紹如下：

　　張乃千 博士

　　公司創始人，CEO。張乃千博士擁有十多年氮化鎵科研與工業界經驗，是世界上最早研究射頻功率氮化鎵電子器件的人員之一。畢業后張博士加入全球最大的射頻半導體生產廠家RFMD公司，后任基站產品開發主管，2006年加入Bourns公司任先進半導體技術經理。張博士有著豐富的GaN器件設計開發經驗，其發明的GaN器件表面鈍化技術和柵場板技術已成為GaN電子器件的標準制造工藝。他1999年研制出世界第一個GaN電力電子器件，至2007年回國，期間多次刷新其耐壓記錄。張乃千擁有美國UCSB電子工程學博士學位，于1995年畢業于清華大學電子工程系微波專業。

　　任勉 MBA

　　公司創始人，首席運營官。具有15年企業管理與商業拓展經驗。AGTC公司前副總裁。任勉先生擁有北京大學MBA碩士學位及美國杜克大學Fuqua 商學院全球管理認證。

　　裴軼 博士

　　公司創始人，器件技術總監。裴先生專注于GaN器件的設計與制造工藝，是多項氮化鎵器件性能世界紀錄保持者。他發表過五十多篇GaN研究論文，擁有5項發明專利。美國UCSB電子工程學博士，早年畢業于北京大學。

1.7 項目財務預測以及融資需求

　　經估算，本項目總投資為2.6億元人民幣，其中建設投資2.4億元，流動資金2000萬元。建設投資包括：工程費用及輔助設備費用8874萬元、設備購置及安裝費用11780萬元、其他費用2950萬元、預備費用396萬元。

　　本項目投資內部收益率為54%，財務凈現值69,797萬元，項目投資回收期為5.04年。

　　本項目投資內部收益率為54%，財務凈現值69,797萬元，項目投資回收期為5.04年。

1.8公司前景展望

　　第三代半導體氮化鎵器件技術是未來無線通信與功率電子的關鍵技術，處于信息產業鏈的高端，對我國電子產業特別是國防電子工業的發展具有重大戰略意義，具有廣闊的市場空間。由于發達國家對中國的技術進口壁壘以及過去技術基礎薄弱的原因，中國微波功率器件絕大多數需要進口。能訊微電子自主擁有全球領先的氮化鎵器件設計與制造工藝技術，填補了中國的產業空白，具有良好的發展前景。

　　全球能源需求的不斷增長以及環境保護意識的逐步提升使得高效、節能產品成為市場發展的新趨勢。節能降耗所創造出來的市場機會為新技術的迅猛發展正召喚劃時代半導體的出現，氮化鎵的商業應用也接近收獲期。本項目的投入能夠利用世界先進的氮化鎵技術建立先進半導體制造企業，在產品生命周期中處于高額利潤的區段，投資回報率高。

　　公司是資本與技術密集型的企業，本項目的投資將帶動相關行業的興起，具備較強的產業關聯度，對區域產業結構的調整起到引領作用，從而增加政府對企業的關注與支持。