荷蘭埃因霍溫和加拿大蒙特利爾，2012年6月19日訊——業界認為，GaN（氮化鎵）技術最有可能替代硅成為諸多射頻應用的新寵。雖然得益于其性能優勢產生了巨大的行業利益，但該項技術至今仍在成本方面面臨重大挑戰。本周在蒙特利爾召開的IEEE MTT-S國際微波研討會上，恩智浦半導體（納斯達克：NXPI）將展示其第一代GaN產品的全部產品組合（展臺607），并探討有關GaN的愿景和發展規劃。該愿景的核心是“主流GaN”理念，即利用恩智浦在射頻功率晶體管領域30多年的經驗引導創新，促進形成安全、可靠的射頻GaN產品供應鏈，進而帶動業界形成規模經濟效應。

恩智浦半導體射頻功率產品線市場總監Mark Murphy表示：“自從我們去年發表‘主流GaN’的承諾，我們已收到對我們GaN產品的極大興趣，并與一些關鍵客戶緊密合作，改進我們的第一代GaN產品與此同時，通過為我們的客戶提供高性能GaN和LDMOS之間的選擇——有時結合這兩種——我們已處于非常獨特的地位，可根據每個應用的特殊需求，為完全優化的設計提供準確的選擇。”

今日的主流GaN：樣品、應用實例和可靠的供應鏈
恩智浦目前提供其第一代GaN產品的工程樣品，包括CLF1G0035-50和CLF1G0035-100放大器，可用于50W和100W寬帶應用。恩智浦將在IMS2012上現場展示應用實例，包括涵蓋200 - 2700 MHz頻帶的多級GaN陣容。GaN陣容使用恩智浦全新的CLF1G0060-10驅動器以及CLF1G0035-50放大器作為輸出級，支持50V GaN技術，擁有一流的線性性能。由于50V GaN工藝的阻抗水平更高，寬帶放大器就可設計在單晶體管內。

基于我們在弗萊堡與弗勞恩霍夫IAF研究所、以及在德國烏爾姆與聯合單片半導體(UMS)共同開發的0.5 µm柵極長度技術，恩智浦的第一代GaN放大器具有出色的線性性能且不會犧牲功率、穩固度和效率，極大地減少器件數量和放大器尺寸。恩智浦與聯合單片半導體(UMS)和弗勞恩霍夫IAF研究所的合作同時也建立了GaN技術在歐洲的供應鏈。

恩智浦將于Q3和Q4大批量生產并提供額外的GaN放大器工程樣品。欲了解更多信息，請訪問恩智浦射頻手冊（第16版）以及http://www.nxp.com/techzones/hprf-techzone/technologies/gan.html

明日的主流GaN
恩智浦還將于IMS2012上展示使用GaN的高級應用，包括現場演示調諧為2.45 GHz的E類放大器，表明GaN帶來的突破性效率。該放大器的晶體管采用內部E類諧波匹配，具有一流的效率——24W、2.45 GHz時為75.2%。恩智浦的高效率E類窄帶GaN解決方案基于正在開發中的0.25 μm柵極長度技術，計劃2013年面市。

同時，恩智浦還在開發使用GaN開關晶體管的數字功率放大器，可提供比線性放大器更高的效率。這些開關模式功率放大器(SMPA)可用于多頻帶而無需更改任何硬件，并且將成為推動未來“終極”基站發展的關鍵因素。正如恩智浦其他的GaN工藝，0.25 μm GHSM工藝采用SiC襯底，具有更佳的可靠度、卓越的射頻性能和增強的熱管理，進一步突出了堅定地選擇GaN的優勢。

不僅射頻GaN已在航空航天和國防市場取得了巨大的關注，恩智浦還關注未來的增長領域，包括無線基礎設施和基站、能源轉換、傳感和圖像市場。