高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）日前宣布，美國國防部高級研究計劃署(DARPA) 授予其一項價值210 萬美元的合同，以提高在高功率雷達和其他軍事系統中使用的氮化鎵(GaN) 電路的熱效率。

授予本合同，是因為DARPA 尋求在熱管理技術(TMT) 項目中的近結點熱傳輸(NJTT) 方面取得突破。DARPA 在NJTT 方面的動議旨在通過改善近結點區域的熱管理，使GaN 功率放大器功率處理性能提高3 倍甚至更多。RFMD 通過將熱增強金剛石基板和自身行業領先的碳化硅襯底氮化鎵高功率技術相結合，期望能顯著提高功率密度和功率處理能力。

RFMD 功率寬頻業務部的副總裁兼總經理Jeff Shealy 稱：“RFMD 很高興與DARPA 合作，將新技術運用于我們現有的基于GaN 的高功率射頻放大器產品系列。我們期望NJTT 計劃可以催生新一代更高性能、更小體積、更低工作溫度、更高單位面積射頻功率的射頻高功率放大器(HPA)。”

RFMD 在此計劃中的合作伙伴有喬治亞理工學院、斯坦福大學、Group4 實驗室公司、及波音公司。喬治亞理工學院以其在熱測試、建模和微拉曼溫度記錄方面的領先地位聞名于世。斯坦福大學是晶體管片芯內臨界界面層熱測量方面的全球領導者。Group4 實驗室公司是金剛石基板開發方面的先驅。波音公司計劃最終評估技術成果，評定其對未來防御體系的預計影響。

RFMD 從2000 年起一直是GaN 技術方面的領導者，并已通過生產發布兩項高功率處理技術，客戶可通過其開放式晶園鑄造業務模式獲取應用該項技術。RFMD 的GaN 功率器件已部署在多種防御和商業應用領域，包括雷達、軍事通信、及有線電視基礎設施。RFMD 是基于GaN 的有線電視寬帶放大器領域的全球領導者，產品有出色的線性度和輸出功率。RFMD 已向商業市場發售了逾35 萬件基于氮化鎵的有線電視放大器。

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RF Micro Devices, Inc.公司（Nasdaq 股市代號：RFMD）是高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者。RFMD 產品可幫助實現全球移動性，提供加強的連接性，以及支持移動設備、無線基礎設施、無線局域網（WLAN或WiFi）、有線電視(CATV)/寬帶、智能能源/高級計量基礎設施(AMI) 以及航空和國防市場中的高級功能。RFMD半導體技術多樣化產品組合以及RF 系統專業技術享有業界知名度，是全球頂尖移動設備、客戶終端設備以及通信設備提供商的首選供應商。

RFMD 總部位于北卡羅來納州、Greensboro，是一家在全球擁有工程、設計、銷售及服務機構的、且具ISO 9001、ISO 14001及ISO/TS 16949認證的制造商。RFMD 在納斯達克全球精選市場上市交易，交易代碼為RFMD。有關更多信息，請訪問RFMD 網站：www.rfmd.com。