恩智浦半導(dǎo)體業(yè)界首款Doherty架構(gòu)超寬帶射頻解決方案和雙通道Power-SO8 MOSFET方案，近日分別榮獲業(yè)界殊榮，摘得由環(huán)球資源(Global Sources)旗下《電子工程專輯》于今年3月1日頒發(fā)的“2013中國年度最佳射頻/無線產(chǎn)品獎”和“2013中國年度最佳功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品獎”。

恩智浦全波段UHF Doherty架構(gòu)射頻方案以其獨一無二的技術(shù)，令數(shù)字發(fā)射機制造商用戶能夠享受到Doherty功率放大器提供的高效率增益，并得到極大擴展的帶寬。

Power-SO8 MOSFET具備市面上最佳的性能、電流處理能力和可靠性，大大減少了PCB板占位面積，令用戶實現(xiàn)更多設(shè)計自由。

恩智浦這兩款產(chǎn)品以創(chuàng)新的架構(gòu)、成熟的開發(fā)環(huán)境和市場應(yīng)用潛力，奪得“2013中國年度電子成就獎”的“最佳產(chǎn)品”殊榮。