聯華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司宣布聯合開發28納米工藝。該項工藝將SuVolta的Deeply Depleted ChannelTM(DDC)晶體管技術集成到聯華電子的28納米High-K/Metal Gate(HKMG)高性能移動(HPM)工藝。SuVolta與聯華電子正密切合作利用DDC晶體管技術的優勢來降低泄漏功耗，并提高SRAM的低電壓性能。

這兩家公司還宣布該工藝技術將提供高度靈活的采用方式：
“DDC PowerShrink低功耗平臺”選項：所有晶體管都使用DDC技術以實現最佳功耗與性能優勢
“DDC DesignBoost晶體管調換”選項：用DDC晶體管取代現有設計中部分晶體管。該選項的典型應用是用DDC晶體管取代泄漏功耗大的晶體管來降低泄漏，或者取代SRAM位單元晶體管從而提高性能并降低最低工作電壓(Vmin)

聯華電子先進技術開發部副總裁游萃蓉表示：“在接下來的幾周或者幾個月，我們期待看到聯華電子與SuVolta聯合開發的技術有良好的結果，從而進一步驗證DDC技術為我們的28納米HKMG工藝帶來的功耗與性能優勢。通過將SuVolta的先進技術引進到我們的HKMG工藝上，聯華電子將提供28納米移動計算工藝平臺，以完善我們現有的Poly-SiON及HKMG技術。”

SuVolta總裁兼首席執行官Bruce McWilliams博士表示：“聯華電子與SuVolta團隊繼續將DDC技術集成到聯華電子的28納米工藝，取得優秀的進展。通過合作，我們開發的工藝使得聯華電子客戶的設計易于移植。此外，SuVolta為業界提供選擇，以替代昂貴而復雜的工藝技術，從而推動未來移動器件的發展。”

關于聯華電子
聯華電子(NYSE: UMC, TWSE: 2303)是全球半導體晶圓專工業界的領導者，提供先進工藝與晶圓制造服務，為IC產業各項主要應用產品生產芯片。聯華電子完整的解決方案能讓芯片設計公司利用尖端技術的優勢，包括28納米Poly-SiON技術、High-K/Metal Gate后閘極技術、混合信號／RFCMOS技術，以及其它涵蓋廣泛的特殊工藝技術。聯華電子現共有十座晶圓廠，其中包含位于臺灣的Fab 12A與新加坡的Fab 12i等兩座12英寸廠。Fab 12A廠第一至四期目前生產最先進至28納米的客戶產品，第五、六期已在興建階段，第七、八期則已在規劃當中。聯電在全球約有超過15,000名員工，在 臺灣、中國大陸、歐洲、日本、韓國、新加坡及美國均設有服務據點。

關于SuVolta公司
SuVolta公司致力于開發和授權應用于低功耗高性能芯片的可微縮半導體技術。SuVolta公司總部位于硅谷，并擁有一批世界一流的工程師和科學家，在技術研發和創新方面具有悠久的歷史，并推動半導體行業的發展。SuVolta公司獲得了包括Kleiner Perkins Caufield & Byers (KPCB)，August Capital, NEA, Bright Capital, Northgate Capital以及DAG Ventures等主導風險投資公司的支持。