硅基增強型功率氮化鎵場效應晶體管之全球領導廠商宜普電源轉換公司宣布其增強型功率氮化鎵場效應晶體管（eGaN® FET）SPICE模型被收納入NI最新推出的Multisim 電路模擬及設計軟件。Multisim提供全方位的電路分析工具，幫助工程師從先進功率轉換系統的應用中易于計算、改變及查尋參數。

NI Multisim

NI公司產品經理Mahmoud Wahby說“現在幾千工程師已使用Multism 13.0 的EPC組件模型來提高功率系統效率、縮小產品尺寸或降低開發成本，或同時實現這三方面的優勢。Multisim 也是廣為學術界及在功率電子設計中使用尖端組件的商戶所采用的領先電路設計工具。我們很榮幸Multisim囊括EPC領先業界的氮化鎵晶體管并期望將來最新的eGaN FET產品繼續與Multisim合作。”

宜普公司創始人及首席執行官Alex Lidow說“為了使eGaN FET產品易于使用，我們把它們開發為跟硅功率MOSFET器件非常相似的器件之同時具備更高頻性能。NI公司的MultisimSPICE模型包含我們的產品，為工程師提供易于使用的工具，大大提升氮化鎵器件的易用性，幫助工程師利用氮化鎵器件設計產品。這些器件模型推動縮短從設計電源轉換系統到推出市場的時間及實現高性能氮化鎵功率晶體管的優勢。”

關于Multisim內的EPC組件及必需使用電路模擬的應用范例以取得理想的設計決策可參看網上廣播ni.com/webcast/3263/en/。

關于美國國家儀器 （National Instruments）
從1976年開始，美國國家儀器為工程師及科學家提供推動生產力、原創及探索的工具。NI的圖形系統設計方法為工程師提供整合式軟件及硬件平臺，旨在加快任何需要測量及控制的系統的開發時間。NI的長遠愿景及專注于利用技術改善社會是為它的顧客、員工、供應商及持份者的成就而努力。

宜普公司簡介
宜普公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵（eGaN）場效應晶體管，其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、包絡跟蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、遙感技術（LiDAR）及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。