專注于為無線連接和蜂窩移動市場提供創(chuàng)新型新一代射頻解決方案的無晶圓半導體公司Rfaxis宣布發(fā)布射頻前端技術白皮書《面向移動手持設備應用的CMOSWi-Fi射頻前端- 第一部》(CMOSWi-Fi RF Front-Ends for Mobile Handset Applications –Part-I)。該系列白皮書共三部，本次發(fā)布的第一部討論了Wi-Fi/蜂窩手持設備雙模設計所面臨的射頻相關技術挑戰(zhàn)。該白皮書還討論了Rfaxis為應對當今射頻/無線行業(yè)面臨的這些關鍵問題所開發(fā)的部分技術解決方案。

據Linley Group統(tǒng)計，智能手機是無線行業(yè)增長最快的細分市場之一，預計2014年智能手機的出貨量將達到6億部。這些先進的移動設備可同時支持3G/LTE網絡和Wi-Fi無線連接，因此用戶可以一邊連接蜂窩網絡進行語音通話，一邊通過Wi-Fi無線網絡上網搜索或下載數(shù)據文件。在內部空間有限的手持設備中同時運行不同的無線電會給射頻設計帶來前所未有的挑戰(zhàn)，需要在保證性能水平的同時最大程度地降低物料清單(BOM)成本。

新出爐的Rfaxis白皮書提供了多家一級供應商UMTS/WCDMA接收頻段(Band-1, 2.11-2.17GHz)不同Wi-Fi功率放大器和前端模塊的綜合測試數(shù)據和噪聲貢獻值的對比情況。多年來，射頻/無線行業(yè)一直在采用不同的材料/工藝技術開發(fā)PA/FEM，包括GaAs HBT、GaAs pHEMT、BiCMOSSiGe HBT和最近的塊狀射頻CMOS。該公司此項研究的部分關鍵成果包括：

除塊狀CMOS之外的所有技術，WCDMA接收頻段總噪聲功率都會隨著WLAN傳輸功率級別的增加而增加，而塊狀CMOS在高WLAN輸出信號水平的情況下，噪聲功率的變化微乎其微，甚至略有減少。

基于GaAs或SiGe HBT的解決方案需要高水平抑噪(30-35dB)，這需要采用成本更高的共存濾波器，還需要額外降低Wi-Fi接收器的靈敏度，并增加發(fā)射鏈路的電流消耗。

Rfaxis基于CMOS的Wi-Fi射頻前端集成電路(RFeIC)所需的PA輸出線性功率可減少1.0-1.5dB，從而大幅降低電流消耗。該電路還能幫助等量提升Wi-Fi系統(tǒng)接收器的靈敏度。

Rfaxis首席技術官Oleksandr Gorbachov博士評論說：“隨著越來越多的移動設備需要同時運行3G/4G蜂窩和Wi-Fi網絡，對提升共存濾波器性能并改善其成本結構的需求正在不斷增加，客戶要求滿足看似相互矛盾的標準，例如：帶內插入損耗要低，帶外抑制要高，元件尺寸要最小，但是價格要最低。我們已通過利用射頻CMOS特有的設備/工藝特點及專有的設計方法，找到了該問題的替代解決方案，我們可大幅降低Wi-Fi PA對WCDMA接收頻段的噪聲泄漏，從而讓射頻系統(tǒng)設計師可以以很寬松的規(guī)格使用共存濾波器。這不僅可幫助降低BOM成本，還能提升Wi-Fi性能。”

Rfaxis董事長兼首席執(zhí)行官Mike Neshat補充說：“我們很高興能與無線行業(yè)分享我們的成果，并向OEM/ODM客戶提供一切就緒的解決方案。這是Rfaxis團隊的又一關鍵突破，可推動射頻CMOS成為下一主流解決方案，滿足智能手機、平板電腦和超極本等當今高度復雜的無線產品的最苛刻射頻前端要求。”