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產能擴容完成,能訊半導體積極備戰5G基站功放市場

2019-04-17 來源:微波射頻網 字號:

能訊半導體于近期完成了生產線擴容項目,該項目總投資5億元,旨在將能訊4吋GaN晶圓制造線擴容,并建設具有自動封裝測試能力的生產線,為客戶提供充足的產能支持,助力5G網絡部署。

2019年,能訊半導體將陸續推出可量產的多款Sub-6GHz頻段、不同功率等級,適合5G通信基站應用的系列產品, 包括陶瓷封裝功放管、塑封功放管及多芯片模塊(MCM)等等。

最近,公司完成了一款產品定型:D1H27260E1,工作頻率范圍2515-2675MHz,全頻段內飽和功率達到260W。在平均輸出功率28W時,其線性增益為14.5dB,開環線性接近-30dBc,線性效率大于51.5%。

D1H27260E1采用非對稱Doherty架構,工作電壓48V,封裝形式為陶瓷780-4。其更高的效率減少了電路板上的功率損失,有效的改善了系統的熱性能,適合5G通信應用。

產能擴容完成,能訊半導體積極備戰5G基站功放市場

產品特色:

工作頻率:2515-2675MHz         飽和功率:260W
線性增益:14.5dB         線性效率:51.5%
封裝形式:陶瓷780-4
符合無鉛和RoHS標準

產能擴容完成,能訊半導體積極備戰5G基站功放市場

產能擴容完成,能訊半導體積極備戰5G基站功放市場

Doherty PA脈沖測試性能:

偏置條件:Vds = 48V,Carrier Ids =200mA,Peak Vgs = -4.2V
測試信號:Pulse Width =100 µs, Duty Cycle = 10 %

產能擴容完成,能訊半導體積極備戰5G基站功放市場

Doherty PA DPD性能:

偏置條件:Vds = 48V,Carrier Ids =200mA,Peak Vgs = -4.2V
測試信號:單載波WCDMA信號,PAR =7.5dB

能訊半導體還可提供多種GaN-on-SiC射頻功率放大器。產品具有高效率、高增益、小尺寸、高可靠性的特點,歡迎垂詢試用!

主題閱讀: 能訊半導體  氮化鎵
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