Ansys與三星的深入合作將加速AI、高性能計算和5G半導體設計的2.5D/3D-IC驗證

Ansys® RaptorH™電磁（EM）仿真解決方案已通過三星Foundry的認證，該解決方案用于研發高級片上系統（SoC）和2.5維/三維集成電路（2.5D/3D-IC）。此次認證使得Ansys（NASDAQ: ANSS）能夠幫助三星設計人員及三星Foundry客戶在采用三星新的簽核流程時更準確地分析并降低電磁效應帶來的風險，從而大幅加速先進人工智能（AI）、高性能計算（HPC）以及5G半導體設計的發展。

三星的一系列高級納米硅和2.5D/3D-IC技術需要一種驗證電磁干擾的簽核方法，避免其影響到復雜的多芯片裝配體，而傳統工具在設計上難以滿足這一要求。工程師需要高容量電磁分析工具來準確建模超大型SoC和2.5D/3D裝配體的信號完整性，這些裝配體能以極高的數據速率處理信號。2.5D/3D-IC中信號之間難以量化的相互作用是關鍵故障點，限制了新技術的推廣。

將Ansys® HFSS™的高保真度高頻電磁求解器與Ansys® RaptorX™的高速魯棒性架構結合之后，RaptorH高度集成的分析解決方案有助于三星設計師對電磁現象建模，提高其2.5D/3D芯片裝配體中的頻率，同時確保寄生效應不會影響系統。這將推動這些新型封裝技術更快地進入主流生產，并大幅降低風險。

三星電子Foundry設計平臺開發執行副總裁Jaehong Park博士表示：“不斷提高的數據速率，更高水平的電子系統集成和封裝密度，將在前所未有的規模上對新型電磁分析功能提出更高要求。利用Ansys RaptorH，我們杰出的工程團隊能夠克服煩人的電磁效應，從而縮短設計周期，降低預算并提高性能。”

Ansys工程副總裁Yorgos Koutsoyannopoulos指出： “通過繼續加深與三星的合作，RaptorH能夠提供優化的簽核流程以消除電磁干擾帶來的風險，并直接支持三星開發尖端AI、HPC和5G半導體設計。RaptorH將幫助三星設計人員和Foundry客戶縮小芯片尺寸、減少功率需求、降低成本并加速其產品上市進程。此外，該解決方案還證明Ansys不僅能夠將Helic等新收購的技術快速集成到自己的產品組合中，同時還能加速實現增長，并為全球客戶提供急需的解決方案。”