公司實現了超過100億的現場工作小時；報告的FIT失效率與一年前相比下降至1以下

高可靠性、高性能的氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)發布了有關其GaN技術的質量和可靠性(Q+R)的最新信息。目前，Transphorm的GaN平臺在實際應用中的失效率(FIT)低于每十億小時1次故障——這是一種非常高的可靠性。以上FIT計算的依據來自大約250兆瓦(MW)安裝量中累積的逾100億(10B)個現場工作小時。

Transphorm器件如今已廣泛應用于65 W至3 kW的各種應用。例如，智能手機和筆記本電腦的通用快速充電適配器；各種耐用型工業電源模塊；以及符合歐洲議會和理事會(ErP: Directive 2009/125/Ec)高能效生態設計要求的1.5至3.0 kW鈦級數據中心電源。

Transphorm GaN與SiC的可靠性對比

碳化硅(SiC)功率器件是一種替代的功率轉換解決方案，相比GaN功率解決方案更加成熟。與Transphorm GaN的100億小時相比，SiC由于商用時間更早而擁有超過一萬億小時的現場運行時間。但最近的報告表明，SiC的現場故障FIT為4.11，而Transphorm GaN迄今為止的FIT< 1，這一對比顯示了后者卓越的現場可靠性。

內部可靠性= 現場可靠性= 準確度

外在可靠性也稱為早期壽命失效(ELF)或早期失效期(Infant Mortality)，是通過制造商內部分析來確定的——確定可能導致器件失效的材料、設計和工藝控制缺陷。而“現場故障率”度量的是客戶生產系統中發生故障的器件數量與銷售器件總數之比。

在評估FIT時，需要研究以上兩個指標——ELF和現場故障率。這兩個比率的收斂意味著半導體制造商的內部可靠性評估是準確的；客戶可以相信所報告的器件性能水平。

2019年1月，Transphorm宣布現場故障FIT為3.1。在2019年晚些時候，現場故障FIT降至2.2。現在，Transphorm的現場故障FIT小于1，進一步接近其當前0.612的ELF FIT。

對于客戶而言，了解技術的ELF統計數據對于控制保修申請至關重要。Transphorm在測量其早期壽命失效率時遵循JEDEC的JESD74A標準中定義的標準行業慣例。為確保提供保守的結果，Transphorm對其器件進行了最大額定峰值和85°C的適當使用溫度測試。盡管JEDEC標準要求進行早期壽命失效率測試，但通常只有硅器件制造商報告該數據——大多數GaN和SiC電力電子制造商則沒有提供。

Transphorm質量和可靠性副總裁Ron Barr表示：“據我們所知，Transphorm是目前唯一一家報告ELF的高壓GaN半導體公司。我們知道，客戶在比較寬能隙技術時需要特定的信息，所以我們希望對此保持透明。在準確性方面，正如我們經常看到的那樣，不同廠家對可靠性數據使用不同的計算方式或以不同尋常的方式加以處理，但仍作為同一指標類型進行報告。鑒于這種趨勢，我們的客戶教育工作著重在于說明，關鍵業務指標的證明必須使用合理的方法，以及這么做的原因。”

Transphorm對業界進行了最有效的Q+R測試方法以及如何對結果進行解釋的教育，以確保客戶獲得準確的可靠性數據以進行關鍵業務決策。如需了解更多信息，請觀看Transphorm可靠性測試的最新視頻：https://bit.ly/3kDnusJ。

需要注意的是，Transphorm網站上提供的可靠性報告將在2020年底更新，以包括所有第二代和第三代GaN FET的ELF FIT數據。