8月5日，河北省第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合體成立。該聯(lián)合體由中國電科13所等15家第三代半導體領域相關核心企業(yè)、研究機構、院所聯(lián)合發(fā)起，著力打造河北省第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展高地。

第三代半導體擁有較寬的禁帶寬度，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率的電子器件，在5G基站、新能源車、高鐵等領域有著很大應用潛力。國家“十四五”規(guī)劃和2035年遠景目標綱要都明確指出“支持碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發(fā)展”。

13所較早在國內開始碳化硅功率芯片和器件研究，具有國內領先的技術實力。立足河北，13所聚焦碳化硅功率芯片和器件產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)，率先建立了6英寸碳化硅器件工藝平臺，具備低壓到萬伏級碳化硅二極管、MOSFET、模塊的產(chǎn)品研發(fā)能力。

習近平總書記對河北充滿深情、寄予厚望，親自謀劃、親自部署、親自推動實施京津冀協(xié)同發(fā)展戰(zhàn)略，強調要集聚和利用高端創(chuàng)新資源，積極開展重大科技項目研發(fā)合作，打造我國自主創(chuàng)新的重要源頭和原始創(chuàng)新的主要策源地。

中國電科深入貫徹落實習近平總書記關于京津冀協(xié)同發(fā)展的一系列重要講話和重要指示批示精神，把河北作為集團公司產(chǎn)業(yè)布局重點，搶抓數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展機遇，在第三代半導體等領域持續(xù)發(fā)力，不斷完善從材料到核心元器件的產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)布局，實現(xiàn)第三代半導體材料和關鍵元器件批量供給，更好服務地方經(jīng)濟社會高質量發(fā)展。中國電科董事長、黨組書記陳肇雄表示，要發(fā)揮好全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，搶占技術創(chuàng)新“制高點”、擔當產(chǎn)業(yè)發(fā)展“領頭雁”、培育機制創(chuàng)新“試驗田”、打造行業(yè)人才“蓄水池”，有力支撐服務第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展。

2022年，13所全面開啟碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展年，推出一系列第三代半導體射頻芯片、電力電子芯片，在無線通信、新能源汽車等領域廣泛應用，為加快打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈“鏈長”奠定堅實基礎。

同時，作為國內碳化硅電力電子器件主要供應商之一，13所堅持對標國際一線廠家，推進6-8英寸碳化硅MOSFET車規(guī)級芯片的規(guī)劃建設，與國內眾多一線整機廠商建立了緊密合作關系，在推動產(chǎn)品國產(chǎn)化的進程中發(fā)揮了至關重要的作用。

氮化鎵作為另一種重要的第三代半導體材料，也是中國電科在河北布局的重點。13所已在氮化鎵領域開發(fā)了包括氮化鎵微波功率器件、微波功率單片集成電路等千余款產(chǎn)品，產(chǎn)品整體水平達到國際先進水平，效率、功率等部分主要技術指標達到國際領先水平。

“在氮化鎵射頻芯片領域，我們已經(jīng)實現(xiàn)了從外延生長、芯片設計、工藝加工、模塊設計、封裝測試等全產(chǎn)業(yè)鏈自主創(chuàng)新，并實現(xiàn)產(chǎn)品化。”技術人員介紹。

目前，13所研制出通信基站用氮化鎵射頻芯片系列上百款產(chǎn)品，產(chǎn)品性能及可靠性均達到國際先進水平，累計銷售近億只，國內市場占有率達到40%，有力保障了我國5G基站的建設實施。

9月7日，經(jīng)中央有關部門批準，13所更名為中國電科產(chǎn)業(yè)基礎研究院，瞄準國家急迫需要和長遠需求，系統(tǒng)整合集成電路與核心元器件優(yōu)勢資源，全力打好產(chǎn)業(yè)基礎高級化、產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化攻堅戰(zhàn)，也將有力推動河北第三代半導體產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展。