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廣晟微電子通信展推可供商用TD-LTE射頻芯片

2009-09-15 來源:微波射頻網 字號:
      2009年9月16至20日,2009年中國國際信息通信展覽會于北京中國國際展覽中心(新館)隆重舉行。廣晟微電子攜系列自主研發芯片參展,在這次通信展上將推出可供商用的TD-HSPA+射頻芯。

廣晟微電子通過在無線移動通信射頻集成電路領域的不斷創新,無線移動通信射頻芯片開發技術始終保持行業領先地位,2008年率先推出了TD-HSDPA射頻芯片,在這次通信展上又推出了可供商用的TD-HSPA+射頻芯。

基于在TD-SCDMA 射頻芯片研發上多年的技術積累和成功經驗,廣晟微電子承擔了國家工信部“新一代寬帶無線移動通信網重大專項”TD-LTE終端射頻芯片研發課題的重要使命,已經啟動了TD-LTE射頻芯片的研發工作。

該芯片是一款符合3GPP TD-LTE 及國內相關規范要求;支持多頻段,包括2300-2400MHz、2010-2025MHz和1880-1920MHz;支持可變速率帶寬,包括5MHz, 10MHz, 15MHz和20MHz;支持64QAM、16QAM、QPSK、BPSK調制方式;下行支持MIMO 方式為2×2多天線配置;支持無線信道跨頻段切換,切換時間<80us,方便組網頻點選擇;集成射頻收發前端(除PA外)和模擬基帶處理,提供數字基帶接口;接收機提供大于100dB動態范圍,步進精度至少1dB;發射機提供85dB動態范圍,步進精度至少0.5dB;發射誤差矢量幅度(EVM)小于2.5%;支持多接收時隙獨立增益自動控制,滿足無線資源快速調度的高水平芯片。

廣晟微電子依靠多年的技術積累和不斷的自主創新,研究解決了高頻段(2300MHz~2400MHz)支持、數字鎖相環(DLL)技術、集成ABB的架構技術、精確的可變帶寬、高精度調制解調以及高速、低功耗、高動態ADC技術等多方面的難點問題。

目前,已經完成了TD-LTE射頻芯片的設計,2009年12月即可將提供樣片,預計2010年6月可提供商用測試芯片,2010年底該芯片即可達到商用要求。

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