2010年11月2-4在上海光大會展中心,由中國電子學會主辦的IME/China第五屆微波及天線技術展覽會，正吸引國內外眾多新老客戶的參加。

日前業界領先企業恩智浦半導體確認將出席本次盛會,并舉辦兩場主題為“為中國無線通信市場提供高性能射頻鏈路解決方案”的技術研討會。

 

主講人：Kees Schetters    職務：國際市場營銷經理

主講人：David Boylan      職務：國際市場營銷經理

內容概要：著重介紹NXP最新的SiGe:C工藝為中國多重半導體市場開發的新產品，這些產品以硅工藝的價格提供砷化鎵工藝的性能，并帶來更多集成化選擇和更好的可靠性和一致性。

 

恩智浦目前已有10多種硅鍺產品上市，采用其QUBIC4技術開發并售出的射頻產品已超過2500萬件。此銷售業績彰顯了恩智浦QUBIC4工藝的技術成熟度以及行業對SiGe:C工藝實現GaAs技術性能的認可度。作為射頻技術和器件設計領域的全球領導者之一，恩智浦致力于SiGe:C技術的產品開發，適應射頻、微波市場的飛速發展。我們將借助采用硅基工藝，努力為市場提供具有砷化鎵(GaAs)技術的性能、高性價比、高集成度的高頻解決方案。

恩智浦創新的高性能SiGe:C QUBiC4工藝可以讓無線設備制造商增加更多設備功能，同時更節省空間、更節約成本、性能更可靠以及制造更方便。QUBiC4技術加快了從GaAs技術向硅芯片技術的轉移速度，實現了高技術含量,低噪聲特性和IP可用性。恩智浦提供了三種不同的QUBiC4工藝：QUBiC4+，針對小于5GHz應用的硅基工藝，如中功率放大器；QUBiC4X，一種0.25?m SiGe:C 工藝，大約6年前推出，常用于高達30GHz和極低噪聲應用，如GPS；以及最新推出的0.25?m QUBiC4Xi SiGe:C工藝，特征頻率（Ft）超過200GHz，特別適合30GHz以上以及要求極低噪聲系數的應用，例如VSAT和雷達應用。

恩智浦的QUBiC4 SiGe:C技術擁有量產所需的完善IP和先進的內部制造工藝，可以提高整體射頻性能，降低器件成本，同時提供比砷化鎵(GaAs) 技術更高和更靈活的性能。憑借超過45年在射頻建模、設計和封裝方面的豐富經驗，恩智浦的QUBiC4技術將砷化鎵(GaAs)技術的高性能與硅基工藝的可靠度完善溶合在一起。隨著高速數字數據傳輸和無線通信技術的持續發展，恩智浦的QUBiC4技術將推動傳統的砷化鎵(GaAs)技術解決方案不斷向前發展，實現更低成本、更高集成度和更多功能，同時滿足低功耗需求。

基于QUBiC4技術的產品涵蓋移動平臺、個人導航設備、有源相控陣雷達、衛星DBS/-VSAT、電子計量、軟件無線電(SDR)技術、基站、點對點無線鏈路以及無線局域網WLAN等廣闊領域，這些都是高頻和高集成度至關重要的領域。終端用戶的受益之處則在于手機變得更小巧,更輕便而功能卻不斷增加。

 

恩智浦半導體以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標準產品解決方案。這些創新的產品和解決方案可廣泛應用于汽車、智能識別、無線基礎設施、照明、工業、移動、消費和計算等領域。公司總部位于歐洲，在全球超過25個國家擁有27,000名員工，2009年公司營業額達到38億美元。

若您對本次研討會感興趣，請點擊http://www.imwexpo.com/siteengine.php?do=zh-cn/bmbg注冊成為聽眾，我們將為您預留席位！

 

由中國電子學會主辦的IME/China 2010第五屆微波及天線技術展覽會將于2010年11月2-4日繼續在上海光大會展中心隆重舉行。

作為中國最具規模的微波及天線國際盛會，IME/China匯聚了來自中國、美國、德國、日本、新加坡、法國、比利時、英國、韓國、愛爾蘭、瑞士等國家及臺灣、香港地區的微波及天線行業知名廠商參加；數千名專業觀眾參加了展會。作為展會的一大特色，同期舉辦多場內容豐富、技術含量高的技術研討會。

立足中國，展望整個亞太地區，IME/China2010是您不可錯過的微波領域行業盛會! 期待貴司的參加!