硅基增強(qiáng)型功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管之全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）將于2014年APEC技術(shù)研討會(huì)以應(yīng)用為主題進(jìn)行三場(chǎng)技術(shù)演講，與參與者分享高頻諧振轉(zhuǎn)換器及高頻、硬開關(guān)功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。研討會(huì)將于3月16日至20日在德克薩斯州的Fort Worth舉行。

首屈一指的APEC研討會(huì)以功率電子業(yè)務(wù)的實(shí)用及應(yīng)用方面為主題，深受功率電子業(yè)界專業(yè)人員愛戴，討論的范圍涵蓋使用、設(shè)計(jì)、制造及推廣所有種類的功率電子元件及設(shè)備。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司共同創(chuàng)辦人及首席執(zhí)行官Alex Lidow博士稱，“我們非常榮幸得到APEC2014年技術(shù)復(fù)核委員會(huì)選出EPC專家的技術(shù)文章，于APEC的年度研討會(huì)發(fā)表，這是支持我們相信功率系統(tǒng)工程師對(duì)高性能氮化鎵技術(shù)感到興趣并獲得他們的贊同。”

EPC專家以GaN FET技術(shù)為題的演講：

“Evaluation of Gallium Nitride Transistors in High Frequency Resonant and Soft-Switching DC-DC Converters”
演講者: David Reusch博士及Johan Strydom博士
日期及時(shí)間: 3月19日星期三 上午8:30 至10:00, TO9-Wide Bandgap Devices in DC-DC Converters

“GaN: Raising the Bar for Power Conversion Performance”
演講者: David Reusch博士
日期及時(shí)間：3月20日星期四上午8:30 至11:30, IS2-4-3, Wide Band Gap Devices

“Design and Evaluation of a 10 MHz Gallium Nitride Based 42 V DC-DC Converter”
演講者: Johan Strydom及David Reusch博士
日期及時(shí)間：3月20日星期四下午2:00至5:30, T30-Semiconductor Devices, Track: Devices and Components

宜普電源轉(zhuǎn)換公司簡(jiǎn)介 
宜普公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其目標(biāo)應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、無線電源傳送、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、光學(xué)遙感技術(shù)（LiDAR）及D類音頻放大器等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。