硅基增強(qiáng)型功率氮化鎵（eGaN）功率晶體管之全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司于亞太區(qū)業(yè)界技術(shù)研討會(huì)進(jìn)行了三場(chǎng)技術(shù)演講。

于3月18日在上海舉行的兩場(chǎng)業(yè)界研討會(huì)中，宜普公司技術(shù)專家與觀眾分享了更高效的氮化鎵（GaN）功率器件如何替代陳舊的硅MOSFET器件，并如何在無線電源傳送（WiPo）應(yīng)用取得更高性能。多個(gè)提高性能的范例包括在一個(gè)全新功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)中提高效率達(dá)20%，及另一個(gè)設(shè)計(jì)在6.78 MHz的ISM頻帶下工作并使用松散耦合線圈，可傳送高達(dá)30W功率。

于4月10日宜普公司的首席執(zhí)行長(zhǎng)及共同創(chuàng)辦人Alex Lidow博士將于寬能隙電力電子國(guó)際研討會(huì)演講，議題為“利用氮化鎵擊敗硅技術(shù)”。Lidow希望借著這個(gè)促進(jìn)技術(shù)合作和知識(shí)交流的機(jī)會(huì)與工程師分享全新應(yīng)用、目前市場(chǎng)上最新的產(chǎn)品信息、氮化鎵技術(shù)未來發(fā)展的路線圖及氮化鎵與功率MOSFET、碳化硅器件的相對(duì)競(jìng)爭(zhēng)力的比較。