第三屆IEEE MTT-S 國際無線會議（IWS 2015）將于2015年3月30日至4月1日在中國深圳舉行。IWS在中國每年舉行一次，以提供一個(gè)在微波電路，硬件，以及與現(xiàn)有的和新興的無線系統(tǒng)的物理層方面的RF系統(tǒng)的最新技術(shù)成果的展示和交流的國際論壇。 此外，為了應(yīng)對在未來5G標(biāo)準(zhǔn)的大量無線流量，IWS 2015的研討重點(diǎn)是無線和光纖系統(tǒng)之間的銜接。IWS 2015 將由“并行會議”、“研討會”和“最新無線商業(yè)產(chǎn)品展示”三個(gè)組成部分。

在2015年IWS技術(shù)程序委員會在中國深圳努力創(chuàng)造多元化，引人入勝的研討會！

研討會議程：

WS1：石墨烯和其他2D材料與器件的無線應(yīng)用（全天）

主持人：James C. M. Hwang, 利哈伊大學(xué)；Shin-Shem Pei, 休斯頓大學(xué)

布置在二維（2D）蜂窩狀晶格碳原子的單個(gè)片材已經(jīng)是許多涉及基礎(chǔ)物理和材料方面及設(shè)備應(yīng)用的研究主題。在這一領(lǐng)域的研究開辟了其它2D材料的應(yīng)用，如germanene，硅烯，氮化硼，磷雜環(huán)，氧化物和硫?qū)倩锏挠嘘P(guān)發(fā)展。為了滿足從絕緣體到超導(dǎo)體的不同的需求范圍，設(shè)備利用材料的組合，而不是孤立的二維晶體。以此增強(qiáng)設(shè)備的性能和設(shè)計(jì)多樣化。對于石墨烯，其打開能隙的眾所周知局限性和其非常有限的應(yīng)用，在開關(guān)應(yīng)用中可能被克服。石墨烯和其他2D材料在速度柔韌性和穩(wěn)定性方面有著特別優(yōu)異的性能。這可能導(dǎo)致開發(fā)出新一代無線高頻多功能設(shè)備。

演講簡介：

標(biāo)題：展望二維晶體的納米電子學(xué)和影響
演講人：Kaustav Banerjee, University of California, Santa Barbara

標(biāo)題：用于微波集成電路的GHz柔性石墨烯晶體管
演講人：邱博文, 國立清華大學(xué), 臺灣
內(nèi)容摘要：柔性集成電路（ICs）的復(fù)雜功能缺少用于可佩戴電子設(shè)備環(huán)節(jié)的研發(fā)空間。在這次講座中，我將展示柔性集成電路包括射頻石墨烯場效應(yīng)晶體管在PET基材上的成果。這個(gè)AlOx T-gate結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)就是用來實(shí)現(xiàn)明顯增加設(shè)備跨導(dǎo)和減少相關(guān)的寄生電阻，因此而產(chǎn)生顯著的32 GHz的外在截止頻率和的20GHz的最大振蕩頻率- 這兩種工作頻率都在數(shù)量級高于以前的數(shù)據(jù)。這一成就證明無線通信接收器的兩個(gè)基本構(gòu)建模塊——高性能低噪聲放大器和靈活的混頻器的實(shí)現(xiàn)是可行的。

標(biāo)題：2D材料與石墨烯之外的設(shè)備
演講人：James C. M. Hwang, 利哈伊大學(xué)
內(nèi)容摘要：在2012年5月，科學(xué)研究的美國空軍辦公室（AFOSR）和美國國家科學(xué)基金會（NSF），在這一新興領(lǐng)域舉辦的二維材料與石墨烯之外的設(shè)備研討會以幫助計(jì)劃一個(gè)聯(lián)合研究計(jì)劃。在2013年2月，AFOSR公布（BAA-AFOSR-2013-0001）與之同名的1500萬美元基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃（BRI）。在研究和創(chuàng)新計(jì)劃（EFRI）二維原子層研究與工程對應(yīng)的新興前沿（2-DARE）也預(yù)算1500萬美元，由于為EFRI長期的選題過程，截止2013年7月，該項(xiàng)目尚未由美國國家科學(xué)基金會公布（NSF13-583）。NSF計(jì)劃在2015財(cái)年在此為相同EFRI專題追加1500萬美元，用大約4500萬美元的總預(yù)算來支持這個(gè)龐大的基礎(chǔ)研究計(jì)劃，并以此揭開在這個(gè)激動人心領(lǐng)域研究活動的序幕。此外，這一舉措已補(bǔ)充資助許多其他AFOSR和NSF計(jì)劃項(xiàng)目。為了響應(yīng)將BRI的邀約AFOSR收到了93號白皮書，受邀22個(gè)完整提案，并選定了8個(gè)資助項(xiàng)目，其中包括以每年約100萬美元的投資級的兩個(gè)大組，幾個(gè)小國際團(tuán)隊(duì)，和一個(gè)政府實(shí)驗(yàn)室。對于EFRI征集，NSF獲得159個(gè)預(yù)提案，受邀47個(gè)完整提案，并選定9個(gè)以每年約50萬美元資助的提案。如無意外的延誤，所有AFOSR和NSF獎(jiǎng)項(xiàng)應(yīng)該在2014財(cái)年年底前公布。

標(biāo)題：金屬上的大型石墨烯薄膜合成和轉(zhuǎn)移到絕緣子電子應(yīng)用
演講人：Shin-Shem Pei, 休斯頓大學(xué)

標(biāo)題：CVD石墨烯薄膜的觸摸屏上的應(yīng)用
演講人：Peng Peng, 2D Carbon

標(biāo)題：展望石墨烯和其他2D材料
演講人：Andrew Wee, 新加坡國立大學(xué)
內(nèi)容摘要：自2004年開始詳細(xì)研究石墨烯的物理性質(zhì)以來，已經(jīng)引起材料界十年的關(guān)注。石墨烯，一種原子級薄層碳可在應(yīng)用程序中使用的半導(dǎo)體和良好的導(dǎo)體，例如使用在透明導(dǎo)電電極在柔性電子。還有其他的二維材料在半導(dǎo)體方面性質(zhì)類似于石墨烯，從而克服石墨烯應(yīng)用在電子產(chǎn)品的零點(diǎn)帶隙的問題。如二硫化鉬和WSe2，一種過渡金屬二硫?qū)倩铮═MDS）是半導(dǎo)體與依賴于原子層的數(shù)目可調(diào)直接帶隙，從而開辟了潛在的電子和光電應(yīng)用。最近，phospherene，單層磷原子的一些EVS電子間隙，已經(jīng)引起研究者的關(guān)注，這是一個(gè)很好的候選數(shù)字化應(yīng)用，如原子級薄晶體管。

在這次演講中，我將在現(xiàn)場給出研究進(jìn)展情況，以及從我們的新加坡國立大學(xué)表面科學(xué)實(shí)驗(yàn)室的帶來的具體例子。我們已經(jīng)證明了兩者自下而上和自上而下的方法制造的一維石墨烯納米帶具有可調(diào)帶隙電子，從而開發(fā)了石墨烯的電子和光電應(yīng)用。我們已經(jīng)研究了表面輔助自下而上的制造原子級精確的扶手椅石墨烯納米帶第7，14和21行的原子帶，在Ag（111）以及它們的空間分辨寬度依賴性的電子結(jié)構(gòu)。我們還將演示在一維的納米結(jié)構(gòu)通過可控解壓單壁碳納米管分子內(nèi)結(jié)的自上而下制造，組合石墨烯納米帶和單壁碳納米管。此結(jié)顯示強(qiáng)大的柵極相關(guān)的整流特性，我們證明其在原型定向相關(guān)的場效應(yīng)晶體管的使用，邏輯門和高性能光電探測器。

在2D過渡金屬二硫?qū)倩镱I(lǐng)域中，我們使用高分辨率STM/ STS研究原子結(jié)構(gòu)和內(nèi)在電子性質(zhì)MoS2layers（mono-, bi-, tri-）通過化學(xué)氣相沉積（CVD），直接敷在HOPG基板。我們通過CVD合成了高度結(jié)晶MoSe2單分子膜（ML）;在室溫下環(huán)境條件下，該MoSe2 ML光電晶體管（<25毫秒）比相應(yīng)的CVD二硫化鉬的ML光電晶體管（30秒），展示了更快的響應(yīng)時(shí)間。我們還將研究高度結(jié)晶和大尺寸WSe2單分子膜通過CVD在藍(lán)寶石上增長;該ML膜在光電子開辟的應(yīng)用潛力方面展現(xiàn)出強(qiáng)烈的光芒。關(guān)于磷雜環(huán)初步結(jié)果也將被討論。

標(biāo)題：單晶石墨烯單層的晶圓級增長對可重復(fù)使用的氫終端鍺(Science DOI：10.1126/science.1252268, 2014年4月3日)
演講人：Dongmok Whang, Sungkyunkwan大學(xué),韓國

標(biāo)題：RF電子二維晶體半導(dǎo)體的商機(jī)
演講人：Huili Xing, 圣母大學(xué)

WS2：GaN在5G無線應(yīng)用的挑戰(zhàn)和前景（全天）

主持人：Rui Ma, Mitsubishi Electric Research Laboratories

本次研討會旨在把來自學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的國際領(lǐng)先GaN器件和微波電路/系統(tǒng)的專家聚在一起，共同討論GaN功率放大器的最新發(fā)展：GaN器件技術(shù)，必要的工具和設(shè)計(jì)方法。

特別是，討論基于GaN開展有利的技術(shù)和所需的手段，最大限度地美化GaN的5G寬帶環(huán)保基站的無線電設(shè)備。研討會將重點(diǎn)討論如何在有限的設(shè)備上制造最多的系統(tǒng)架構(gòu)，包括了解神秘的GaN俘獲現(xiàn)象;GaN器件的發(fā)展模式;負(fù)載拉移/源牽引GaN晶體管表征RF PA的設(shè)計(jì);多頻帶包絡(luò)線跟蹤技術(shù)的載波聚合;寬帶高效RF帕甘專用線性化方案，和由GaN開關(guān)模式PA使能重新配置的無線電發(fā)射機(jī)。

最后，該小組將對以GaN技術(shù)的移動寬帶時(shí)代的美好未來，討論的其商機(jī)和他們的立場。

演講簡介：

標(biāo)題：用于電信設(shè)備的高性能氮化鎵射頻晶體管
演講人：Dr. Yi Pei, Dynax Semiconductor, Inc.
內(nèi)容摘要：內(nèi)容摘要：GaN HEMT是用于高功率，高頻率應(yīng)用，對于3G WiMAX和4G-LTE電信系統(tǒng)極具吸引力。 對于III-N器件設(shè)計(jì)和工藝的新技術(shù)進(jìn)行了討論。輸出功率，擊穿電壓和產(chǎn)率顯著增加。其出色的線性性能和效率表現(xiàn)出Doherty 放大器采用Dynax GaN 晶體管。  

標(biāo)題：GaN的技術(shù)改進(jìn)對移動通信業(yè)務(wù)帶來的膨脹，從GaN對SiC到GaN對Si.
演講人：Dr. Akira Inoue, Mitsubishi Electric Corporation
內(nèi)容摘要：最近的增加的移動通信業(yè)務(wù)強(qiáng)制改進(jìn)了BTS的數(shù)字和性能。綠色能源需要高效率的放大器。增強(qiáng)數(shù)據(jù)速率導(dǎo)致BTS的寬帶配置。氮化鎵是一個(gè)很好的備用材料，這滿足于高效率和低輸出電容的要求。然而，LDMOS是主要的BTS放大器。LDMOS和GaN都在爭相這個(gè)領(lǐng)域。近日，效率不斷提高的GaN技術(shù)展示出顯著的進(jìn)步戰(zhàn)勝了LDMOS。一些捕獲效果解決了最新的設(shè)備的設(shè)計(jì)，這加強(qiáng)了磁場控制。工作電壓近兩倍LDMOS于50V的技術(shù)進(jìn)步將被討論。為了趕上BTS市場強(qiáng)大的性價(jià)比需求，GaN on Si設(shè)備被開發(fā)。我們將展示對比GaN on Si與GaN on SiC裝置的最新進(jìn)展。本領(lǐng)域的效率聯(lián)署實(shí)現(xiàn)GaN on Si的技術(shù)達(dá)標(biāo)。

標(biāo)題：BTS小型單元和微距單元GaN-Si 功率放大器高效的發(fā)展
演講人：Dr. Andrew Patterson, Macom, Northern Ireland
內(nèi)容摘要：通過改進(jìn)GaN-SiC技術(shù)，我們已經(jīng)看到了LDMOS BTS 2GHz以上應(yīng)用從市場上贏得份額。GaN on Si 基板具有GaN-SiC相同的性能優(yōu)點(diǎn)，如高功率密度，高效率，以及低輸出電容和高頻寬帶操作。此外GaN-Si 可以容易地制造6“或8”硅晶圓提供至關(guān)重要的低成本大批量的商業(yè)應(yīng)用和更高的成本效益集成度的GaN MMICs產(chǎn)品。本講座將概述降低受限制和相關(guān)的頻率色散行為和與Si基板管理相關(guān)的寄生效應(yīng)。該演講將探討有效的測量技術(shù)，這可能是有用的表征，該技術(shù)包括脈沖IV測試和時(shí)域波形的諧波基于負(fù)載牽引。最近GaN-Si和GaN-SiC的業(yè)績達(dá)到了需要對比和討論的階段。講座還將展示GaN-Si技術(shù)如何能夠很好地處理數(shù)字預(yù)失真技術(shù)，使Small Cell和Macro Cell BTS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代應(yīng)用。

標(biāo)題：先進(jìn)的GaN和GaAs晶體管模型，小型和大型信號VNA和NVNA微波測量結(jié)合使用
演講人：Iltcho Angelov博士, Chalmers University, Sweden
內(nèi)容摘要：該程序描述了先進(jìn)的GaN 和GaAs 微波FET晶體管特點(diǎn)并討論了提取大信號等效電路模型（LS ECM）的測量結(jié)果。設(shè)備將對使用小型和大型信號VNA和NVNA微波測量進(jìn)行評估。這個(gè)（LS ECM）概念是由連接重要的SS和LS模型參數(shù)直接通過實(shí)驗(yàn)測量（或TCAD）的數(shù)據(jù)。

First IV, Capacitances和他們的衍生物通過IV , S-parameters, Harmonics and LSVNA波形測量進(jìn)行評估。選擇正確的定義遵循器件物理，使用特性，設(shè)備特性變形點(diǎn)，將降低參數(shù)的數(shù)量，來分別測量需要的模型擬合。重要的模型參數(shù)被直接測量或TCAD計(jì)算的數(shù)據(jù)連接，因此，在需要的時(shí)候LS模型參數(shù)可以直接從裝置的物理參數(shù)來計(jì)算。簡短說明將解釋EC模型構(gòu)造如何通過CAD工具實(shí)現(xiàn)。建模流程將直觀地展示直接提取重要設(shè)備的模型參數(shù)。GaN, GaAs晶體管的較大的信號模型將被討論。請?zhí)貏e關(guān)注GaN HEMT設(shè)備模型。

標(biāo)題：由多諧負(fù)載牽引和源牽引調(diào)諧器設(shè)計(jì)高效率GaN RF PA晶體管的特征描述
演講人：Chan-Wang Park博士, University of Quebec in Rimouski
內(nèi)容摘要： 最近市場上出現(xiàn)了對大信號特征源牽引和負(fù)載牽引調(diào)諧器的大量需求。本演講介紹了由多諧源牽引和負(fù)載牽引調(diào)諧器協(xié)助功率放大器設(shè)計(jì)過程晶體管特性的程序和展示了如何成功通過調(diào)諧器使用到功率放大器的設(shè)計(jì)中。一個(gè)多諧的表征方法來一步一步解釋晶體管的源非線性行為和負(fù)載功率，輸出功率方面。由于晶體管電源和負(fù)載的阻抗，將展示我們設(shè)計(jì)的一個(gè)高效率集成波導(dǎo)型功率放大器基板。 

標(biāo)題：多頻段外型跟蹤系統(tǒng)載波聚合信號傳輸
演講人：Slim Boumaiza博士, University of Waterloo, Waterloo, Canada
供稿者：Hassan Sarbishaei, Yushi Hu, Bilel Fehri, Slim Boumaiza
內(nèi)容摘要：由于不斷地探索新的方法，實(shí)現(xiàn)無處不在的無線網(wǎng)絡(luò)，如部署適應(yīng)頻譜管理技術(shù)（e.g., carrier aggregation）。這些技術(shù)的引入使發(fā)射機(jī)可以在多個(gè)頻段同時(shí)發(fā)送多個(gè)信號，同時(shí)保持嚴(yán)格的線性和效率的要求。發(fā)射器須同時(shí)發(fā)送載波間隔從幾十到幾百兆赫的雙帶和三帶信號。此外，為了最大限度地提高頻譜效率和數(shù)據(jù)吞吐量，現(xiàn)代的無線標(biāo)準(zhǔn)正產(chǎn)生通信信號具有高峰均值功率比（PAPR）的和嚴(yán)格的線性要求。因此，未來的通信基礎(chǔ)設(shè)施將要求高功率高效，超線性，多標(biāo)準(zhǔn)/多頻帶無線電系統(tǒng)。

多種反饋功率效率提高的技術(shù)，例如Doherty和ET，已經(jīng)被應(yīng)用到增強(qiáng)與單頻帶通信信號驅(qū)動功率放大器（PA）的功率效率。當(dāng)然應(yīng)用于并發(fā)多頻帶通信信號這些技術(shù)面任然臨著困難。例如，多爾蒂功率放大器已被證明是非常有效的放大寬帶調(diào)制信號（包括內(nèi)帶的連續(xù)和非連續(xù)載波聚合信號）具有中等和高PAPR，但是放大廣泛間隔間帶載波聚合信號的效率要少得多。ET的多頻帶信號的放大用法已經(jīng)由包絡(luò)放大器的有限速度的歷史外切。本講座將介紹ET功率放大器能夠擴(kuò)增間帶載波聚合信號并使用多頻帶信號的包絡(luò)的低頻成分（LFC）以調(diào)制在多頻帶的ET功率放大器電源電壓。這種方法對效率的影響與多頻帶的ETPA的線性將被討論。此外，一個(gè)新的多波段數(shù)字預(yù)失真方案設(shè)計(jì)來減輕非線性的根本來源。

標(biāo)題：“高能效寬帶與多頻段GaN 功率放大器”
演講人：Wenhua Chen博士, Tsinghua University, Beijing, China
內(nèi)容摘要：為了適應(yīng)新興的無線通信，先進(jìn)的功率放大器（PA）的設(shè)計(jì)和數(shù)字預(yù)失真（DPD）方法將在這次會議進(jìn)行討論。為寬帶效率的提高和雙頻功率放大器，引入新的匹配技術(shù)與采用寬帶和雙頻并發(fā)的Doherty PA設(shè)計(jì)。為了減少2D-DPD行為模式傳統(tǒng)的復(fù)雜性，一個(gè)2D修飾記憶多項(xiàng)式（2D-MMP）和一種自適應(yīng)pruinng方法表現(xiàn)出來。最后，提出了寬帶GaN 功率放大器線性化的低采樣率DPD模型。

標(biāo)題：“用于基站的高效率的可重構(gòu)Outphasing功率放大器”
演講人：Mustafa Acar博士, NXP Semiconductors
內(nèi)容摘要：在下一代蜂窩通信系統(tǒng)中，基站需要具有更高的效率，并且需要更加靈活在多個(gè)頻帶和不同的標(biāo)準(zhǔn)（2G，3G，4G等）操作。由于同時(shí)要求較高的平均效率，線性度，輸出功率和寬的帶寬，這是對用于功率放大器（PA）特別的挑戰(zhàn)。本演講將著重描述NXP公司新型開關(guān)模式PA（SMPA）的概念，它提供了由PA更直接的數(shù)字控制功率放大器所需的高效率和靈活性。為了做到這一點(diǎn)，SMPA電路組合GaN HEMT設(shè)備具有專用高壓的，高速的65nm，CMOS RF PA的驅(qū)動程序。

WS3：無線收發(fā)器的低功耗技術(shù)（半天）

主持人：Baoyong Chi， 清華大學(xué)

本次研討會旨在把國際領(lǐng)先的RFIC專家匯聚一堂，討論低功率無線收發(fā)器的最新發(fā)展。特別是，它將展開針對由低功率無線電必要的技術(shù)最大限度地延長電池壽命的討論。研討會將主要涉及節(jié)能收發(fā)器架構(gòu)，低功率的關(guān)鍵模塊，包括可重構(gòu)的高效節(jié)能變送器，節(jié)能的太赫茲無線通信，低功耗多模雙系統(tǒng)GNSS接收機(jī)，低功耗PLL設(shè)計(jì)和基于VCO的時(shí)域Delta-Sigma型ADCs。

演講簡介：

標(biāo)題：可重新配置的塑造頻段和支持多頻道節(jié)能變送器
演講人：Chun-Huat Heng, National University of Singapore
內(nèi)容摘要：在這次演講中，我們將介紹針對生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用的兩種高效節(jié)能發(fā)射器架構(gòu)。通過連接注入鎖定環(huán)形振蕩器正交調(diào)制技術(shù)，光譜和節(jié)能的QPSK/ QAM調(diào)制頻段塑形可以被實(shí)現(xiàn)。再通過采用基于DLL相位內(nèi)插合成，精細(xì)頻率調(diào)節(jié)可以得到進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)FSK調(diào)制和多頻道的支持。所提出的技術(shù)排除了相位校準(zhǔn)和PLL的頻率調(diào)諧的任何需求。第一發(fā)射器工作時(shí)在900MHz達(dá)到6％EVM，在100Mbps達(dá)到26pJ/bit。第二發(fā)射器工作時(shí)在MICS頻段達(dá)到6％EVM，在12.5Mbps達(dá)到103pJ/bit。

標(biāo)題：CMOS低功耗THz無線通信
演講人：Hao Yu, 新加坡南洋理工大學(xué)，新加坡
內(nèi)容摘要：具有高帶寬分配，THz體系無線通信能在即時(shí)文件中短距離傳輸?shù)某咔逡曨l有可能實(shí)現(xiàn)超高速傳輸（T-BPS）。利用和推進(jìn)CMOS技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)低成本的THz電子產(chǎn)品與系統(tǒng)級芯片的解決方案。然而，CMOS THz的前端的主要困難在顯著導(dǎo)致便攜式應(yīng)用較差功率效率且功耗損失巨大的阻礙。為了滿足CMOS THz無線通信中的低功耗設(shè)計(jì)，需要有一個(gè)同相的THz信號生成，用于傳送和檢測高功率效率。在這次講座中，基于超級材料的電路設(shè)計(jì)，介紹了THz同相的相控陣MIMO收發(fā)器設(shè)計(jì)。60Hz，140GHz和280GHz高功率高效的信號源，低損耗相移器和天線陣列將被展示。

標(biāo)題：低功耗技術(shù)和多模雙系統(tǒng)GNSS接收器
演講人：Nan Qi, Oregon State University
內(nèi)容摘要：通過許多衛(wèi)星資源不同系統(tǒng)間的交互操作，全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)（GNSS）已經(jīng)進(jìn)入了全新階段。為了實(shí)現(xiàn)更快的速度，更可靠和更精確的定位，GNSS接收機(jī)融入多種渠道，更寬的帶寬，和不同的工作方式。這次演講的重點(diǎn)是關(guān)于多模式雙系統(tǒng)GNSS接收機(jī)低功率的設(shè)計(jì)技術(shù)，包括單振靈活的頻率規(guī)劃，單/雙變換的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和可擴(kuò)展的構(gòu)建模塊優(yōu)化。最后，對4種不同的接收器和他們的測量結(jié)果討論核實(shí)低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)。

標(biāo)題：Low power PLL design for SDR applications
演講人：Liyuan Liu, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
內(nèi)容摘要：在這次講座中，我們提出兩個(gè)PLL設(shè)計(jì)的SDR應(yīng)用。第一個(gè)是在寬帶低震動PLL，在其中采用副諧波注入鎖定技術(shù)來抑制相位噪聲很大，而無需耗費(fèi)太多的權(quán)力。第二個(gè)是一個(gè)軟件定義，無線電ΔΣ小數(shù)N分頻PLL（SDRPLL）。通過sub-VCOs涵蓋不同的頻段，PLL 可以在1.6GHz的?8.8GHz工作，而耗電量比時(shí)在21mW以下。

子諧波注入鎖定的PLL（SILPLL）在廣泛范圍的輸出時(shí)鐘頻率采用新的定時(shí)噴射校中技術(shù)來自適應(yīng)調(diào)整定時(shí)噴射。此外，我們建議用于半整噴射脈沖發(fā)生器來緩解SILPLL的相位噪聲和輸出頻率分辨率之間的權(quán)衡。該SILPLL采用的是65納米CMOS的制造工藝。所測量的輸出頻率的范圍為200MHz的頻率分辨率的2.4GHz至3.6GHz和有效值小于160fs抖動從1kHz的整合至30MHz。功率在1.2V電源下只有不到9.1mW。

在SDRPLL，3 LC-VCOs，LB-VCO，MB-VCO和HB-VCO，中分別實(shí)施以1.6?3.4GHz，4.2?6GHz和5.5?8.8GHz的頻率覆蓋范圍。在分頻電路的幫助下，其中包括了兩個(gè)分頻器5個(gè)級聯(lián)分頻和兩個(gè)5-to-15 MUX的TX和RX LO信號，該SDRPLL可以產(chǎn)生0.1?4.4GHz正交輸出。一種新型的快速自動頻率校正（AFC）技術(shù)，解決了大大縮短VCO的頻率校準(zhǔn)時(shí)間，同時(shí)也沒有AFC分辨率的害處。測量顯示AFC的7位數(shù)字控制校準(zhǔn)時(shí)間的VCO的電容陣列只小于1.5us的分辨率5MHz與20MHz的參考頻率。而2.75375GHz的載波頻率在1MHz的相位噪聲偏移頻率為-120.3dBc。功率比時(shí)僅不到21mW。

標(biāo)題：基于VCO的Time-domain Delta-Sigma ADCs
演講人：Xinpeng XING, Graduate School at Shenzhen, Tsinghua University
內(nèi)容摘要：隨著CMOS技術(shù)的縮放，模擬和混合信號IC有限的電壓裕量和放大器的增益面臨著設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)。混合信號IC一種常用解決方案是通過應(yīng)用VCO設(shè)計(jì)一種時(shí)域ADC。在這次講話中，我將首先談?wù)摰腣CO型的量化結(jié)構(gòu)，工作原理和權(quán)衡。在第二部分，我會介紹幾個(gè)ADC結(jié)構(gòu)來減輕VCO電壓- 非線性頻率。在演講的最后部分是關(guān)于我們兩個(gè)VCO型的ADC設(shè)計(jì)與最先進(jìn)的40nm CMOS FoMs。

WS4：高性能芯片與內(nèi)部芯片的無線互聯(lián)的未來芯片：承諾與挑戰(zhàn)（半天）

主持人：Deukhyoun Heo, Washington State University
     Patrick Chiang, Oregon State University

能源效益已經(jīng)成為下一代計(jì)算解決方案的主要問題。現(xiàn)代計(jì)算系統(tǒng)，從單芯片、多處理器系統(tǒng)級芯片（SoC）的設(shè)備到大型數(shù)據(jù)中心，越來越多地依賴于大量的處理單元實(shí)現(xiàn)增加計(jì)算性能，其結(jié)果是處理節(jié)點(diǎn)之間所消耗的能量急劇增加。本講座將介紹最新的研究進(jìn)展，旨在提高這些通信系統(tǒng)的效率，無論是多核系統(tǒng)芯片的情況還是大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。對于系統(tǒng)級芯片，增加的能源消耗很大程度上源于過遠(yuǎn)的CPU內(nèi)核之間平面金屬互連的限制。最近的研究已經(jīng)證明硅集成在芯片及封裝天線在高頻下運(yùn)行現(xiàn)在是一個(gè)可行的技術(shù)，盡管還存在著對高效率和寬帶性能諸多的挑戰(zhàn)。再加上無線收發(fā)器設(shè)計(jì)顯著的進(jìn)步，這開辟了詳細(xì)調(diào)查芯片內(nèi)無線互連以備將來的SoC的新機(jī)遇。在大型數(shù)據(jù)中心的范圍內(nèi)，努力改善電互連的效率，針對云計(jì)算進(jìn)行說明。此外，使用硅光子學(xué)的光學(xué)互連，操作在4×25Gbps的使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝，已經(jīng)出現(xiàn)作為實(shí)用和有希望的解決方案。本次研討會將對下一代計(jì)算系統(tǒng)設(shè)計(jì)高效節(jié)能的互連解決方案，并介紹其方法和面臨的挑戰(zhàn)。

演講簡介：

標(biāo)題：高效節(jié)能芯片間通信的低功耗無線鏈路毫米波
演講人：Deukhyoun Heo
內(nèi)容摘要：芯片內(nèi)通信的有效性在很大程度上依賴于物理層的設(shè)計(jì)。物理層的兩個(gè)主要組成部分是微型化的片上天線和無線收發(fā)器。在本節(jié)中，我們的主要焦點(diǎn)將放在為高吞吐量片上的數(shù)據(jù)傳輸芯片的設(shè)計(jì)，高效，寬帶毫米（mm）1/2波無線收發(fā)器。為了證明這種應(yīng)用的可行性，我們將展示適用于芯片內(nèi)部毫米波收發(fā)器的電路設(shè)計(jì)。創(chuàng)建此應(yīng)用高效節(jié)能的無線鏈路，收發(fā)電路必須具備一定的帶寬，同時(shí)消耗最低的功率。因此，我們將介紹架構(gòu)和電路級的各種設(shè)計(jì)方法來降低收發(fā)機(jī)的功率消耗并延長其帶寬。我們將重點(diǎn)介紹我們?nèi)绾卧O(shè)計(jì)低功耗和采用人體功能的寬帶收發(fā)器設(shè)計(jì)。而且，該收發(fā)器的必要組成部分調(diào)制器/解調(diào)器（調(diào)制解調(diào)器）和過濾器的設(shè)計(jì)也將被討論。此外，其他可能的物理層的特性，例如UWB, Sub-THz 和THz on-chip無線鏈路將被進(jìn)行討論研究。

標(biāo)題：極端能效
演講人：Patrick Chiang
內(nèi)容摘要：極端能源效率是新一代計(jì)算的關(guān)鍵制約因素，例如在大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。對于這些應(yīng)用而言通過通信所消耗的能量大大超過了運(yùn)算消耗的能量。這次演講將介紹我的研究小組在提高電氣互連云計(jì)算能效的最新進(jìn)展。我還將討論采用CMOS 4×25Gbps的標(biāo)準(zhǔn)使用硅光子光學(xué)互連的最新進(jìn)展。

標(biāo)題：無線網(wǎng)絡(luò)芯片架構(gòu)和芯片內(nèi)的通信資源管理
演講人：Partha Pratim Pande
內(nèi)容摘要：芯片上通信系統(tǒng)的設(shè)計(jì)的目標(biāo)是盡可能有效地使傳輸數(shù)據(jù)具有低延遲和高吞吐量。在這部分教程，我們的目的是闡述通過補(bǔ)充片上的無線鏈路的新型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有著怎樣優(yōu)勢。首先，我們將介紹迄今提出的各種WiNoC架構(gòu)的概述。在此之后，我們將介紹高帶寬和低功耗WiNoC架構(gòu)怎樣結(jié)合微型世界體系結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。我們將展示一個(gè)具有長距離無線快捷設(shè)計(jì)的分層架構(gòu)，然后討論怎樣設(shè)計(jì)采用基于冪定律連接的WiNoC。我們將提出對WiNoCs微型世界和相對于它的基于網(wǎng)格的傳統(tǒng)對應(yīng)，詳細(xì)的績效評估和必要的設(shè)計(jì)權(quán)衡。我們也將討論WiNoCs如何利用微型世界網(wǎng)絡(luò)固有的穩(wěn)健性對抗無線鏈路的故障。我們將通過討論適合WiNoCs的散熱和電源管理來完成這部分的教程。通過使用WiNoC獲得所需的性能優(yōu)勢，使可用的通信資源達(dá)到最佳的利用。高效的媒體訪問機(jī)制伴隨著最佳的路由方案對于關(guān)鍵無線信道的高效利用。在這一節(jié)中，我們討論WiNoCs用于迄今不同的媒體訪問控制（MAC）機(jī)制和路由協(xié)議。在WiNoCs中，使用一個(gè)合適的MAC機(jī)制的結(jié)合以維持可接受的性能水平是很重要的。所采用的MAC必須簡單，重量輕，不應(yīng)該引入過度的區(qū)域和電源消耗。我們將討論各種適合的MAC，包括token passing, CDMA, FDMA，和time-hopping等設(shè)計(jì)。為了維持WiNoC的預(yù)測性能，無死鎖的路由算法必須被設(shè)計(jì)。路由協(xié)議也需要不產(chǎn)生過大的功率，面積和簡單的延遲。我們將通過迄今為止提出的WiNoCs各種無死鎖路由算法的介紹完成討論。

標(biāo)題：用于芯片內(nèi)外無線通信的高性能天線設(shè)計(jì)
演講人：Manos M. Tentzeris
內(nèi)容摘要：這次演講將介紹微型芯片用于芯片內(nèi)和外無線通信的天線。在本節(jié)中，我們的主要重點(diǎn)是芯片的設(shè)計(jì)。高效，微型的寬帶天線用于高吞吐量芯片上的數(shù)據(jù)傳輸。為滿足這些要求，芯片上天線必須是的寬帶的，高效的，和足夠小的。我們將討論平面折合偶極天線的各種幾何形狀的設(shè)計(jì)和超寬帶貼片天線，該天線可以很容易地與芯片無線收發(fā)器結(jié)合。如何使鄰近耦合激發(fā)方案有效地提供接近十年的帶寬和天線孔徑照明效率超過70-75％高達(dá)至少85千兆赫。利用銀納米顆粒的導(dǎo)電油墨在硅晶片上使用噴墨打印快速成型這個(gè)已經(jīng)展示高達(dá)60GHz優(yōu)異導(dǎo)電性的上述方案也將被討論。

WS5：5G蜂窩研討會（半天）

主持人：Corbett Rowell, Nazarbayev University

本次研討會將從5G蜂窩的產(chǎn)業(yè)發(fā)展角度來介紹該技術(shù)。5G將增加10倍以上的網(wǎng)絡(luò)容量，而只消耗相當(dāng)于4G網(wǎng)絡(luò)的電流能量的一小部分。本次研討會提供了一個(gè)高層次視角，將系統(tǒng)和體系結(jié)構(gòu)問題放在一起討論，實(shí)際執(zhí)行5G技術(shù)與樣機(jī)研制，實(shí)際困難和測量技術(shù)。

演講簡介：

1、蜂窩挑戰(zhàn)與技術(shù)介紹和研討會概述：Corbett Rowell（納扎爾巴耶夫大學(xué)）
2、5G技術(shù)的研究：Eric Tsang（ASTRI）
3、標(biāo)準(zhǔn)化的測量與測試：Frank Wong (Rohde & Schwarz)
4、毫米波網(wǎng)絡(luò)混合波束：Han Shuang Feng（中國移動）
5、模的5GMIMO測試平臺：Tristan Martin (NuTaq)
 

WS6：創(chuàng)新101：顛覆性創(chuàng)新和解決復(fù)雜的問題（全天）

主持人：David S. Ricketts博士，Harvard University

本場研討會將介紹兩個(gè)創(chuàng)新的核心模塊和企業(yè)創(chuàng)新的學(xué)術(shù)科學(xué)家，工程師和管理人員。由在哈佛大學(xué)創(chuàng)新科學(xué)與工程教授課程的主持人講解。

內(nèi)容摘要：

第一部分是對顛覆性的創(chuàng)新的講解：它是什么？它是怎樣的呢？而最重要的是，如何讓我們的公司創(chuàng)造顛覆性創(chuàng)新？介紹將包括保持和顛覆性的創(chuàng)新，以及它們?nèi)绾芜m用于新興市場。然后，我們將介紹的確定和發(fā)展新機(jī)遇的過程。互動練習(xí)將讓參與者探索自己的具體市場。

第二部分介紹創(chuàng)造性的解決方案。雖然我們的技術(shù)團(tuán)隊(duì)非常優(yōu)秀，但有些問題似乎仍然難以解決。你怎么能解決這些傳統(tǒng)技術(shù)以外的問題？你怎么解決你的團(tuán)隊(duì)從來沒有遇到過的問題？在這個(gè)會議上，我們將討論我們的頭腦是如何工作的，怎樣才能擁有創(chuàng)造性的解決方案。我們還將討論方法和實(shí)踐，提高創(chuàng)造性解決問題。參與者將完成幾個(gè)互動練習(xí)。

形式：

這個(gè)簡短的研討會假設(shè)為每個(gè)部分大約為100分鐘的兩部分講座。每個(gè)部分將包括講座之后的互動。累積講座時(shí)間約為60分鐘，與參會者的互動時(shí)間約為40分鐘。

主持人：

David S. Ricketts 教授從哈佛大學(xué)獲得博士學(xué)位。在過去的十年里，他與他的同事們曾在哈佛大學(xué)，工程和應(yīng)用科學(xué)學(xué)院，科學(xué)和工程創(chuàng)新系任教。Ricketts博士是哈佛科技創(chuàng)業(yè)中心（TECH）首屆創(chuàng)新科學(xué)研究員，并教授了國際創(chuàng)新和創(chuàng)造力。他曾被卡內(nèi)基- 梅隆大學(xué)，哈佛大學(xué)，麻省理工學(xué)院和北卡羅來納州立大學(xué)任命。加盟學(xué)術(shù)界后，Ricketts博士帶領(lǐng)綜合專家小組，花費(fèi)了十年開發(fā)高速集成電路和功率管理電子先進(jìn)產(chǎn)品。