1. C/N 值衡量的是你Rx Noise Figure 能壓多低 不代表你定位速度就會(huì)快

換句話說(shuō) 有可能相關(guān) 例如改變手握位置 天線效率好 定位速度就
快 我猜此時(shí)Wireless 的C/N 值應(yīng)該有比較好
但也可能不相關(guān) 就像你C/N 有42 但反而定不到位

2. 但有一點(diǎn)肯定 就是定位速度跟頻偏量有關(guān) 頻偏量大 定位速度就慢

過(guò)大甚至?xí)ú坏轿?所以X’TAL 就成了重要關(guān)鍵

3. 所以可以把X’TAL 上方的Shielding Cover 拔掉看看 減少寄生效應(yīng)

看定位速度會(huì)不會(huì)比較快 因?yàn)榭赡軠y(cè)板端時(shí)
Shielding Cover 的高度還算足夠 所以不會(huì)有嚴(yán)重的寄生效應(yīng)
但是測(cè)Wireless 時(shí) 整機(jī)組起來(lái)
Housing 往下擠壓Shielding Cover 的高度被壓縮 寄生效應(yīng)變大
以至于Wireless 的定位時(shí)間變慢

4. X’TAL 的校正 除了靠高通的XTT 之外

跟基地臺(tái)連接時(shí)X’TAL 也會(huì)做自我校正
所以那些定位速度慢的Sample 可以先插Test Sim 去跟CMW 500 連接
讓他們做完自我校正 之后看定位速度會(huì)不會(huì)快一點(diǎn)

5. 早期高通平臺(tái) 有一組NV 可以調(diào)負(fù)載電容值

NV_XO_TRIM_VALUES_I
可以調(diào)看看 因?yàn)樨?fù)載電容值 會(huì)影響頻偏量

6. 把Fail sample 吹涼再去測(cè) 因?yàn)閄’TAL 對(duì)溫度很敏感

所以Shielding Cover 拔掉若有改善 另一個(gè)解釋是加強(qiáng)散熱
以致于頻偏小了 那當(dāng)然定位速度就快

7. X’TAL 本身來(lái)料有問(wèn)題

若是這原因 理論上應(yīng)該板端的定位速度就會(huì)慢了
不會(huì)到Wireless 才變慢
而且應(yīng)該GSM / WCDMA / LTE 的Frequency Error 也會(huì)比較大
可先確認(rèn)是否PCB 就無(wú)法定位了

8. PMIC 來(lái)料有問(wèn)題 因?yàn)閄’TAL 的負(fù)載電容 是內(nèi)建在PMIC

但同第7 點(diǎn) 若是這原因
理論上應(yīng)該板端的定位速度就會(huì)慢了 不會(huì)到Wireless 才變慢
所以可能性不大

9 . MSM 來(lái)料問(wèn)題 因?yàn)樽罱KGPS 信號(hào) 會(huì)送到BB 的Modem 去做解調(diào)

不過(guò)同第7 點(diǎn) 若是這原因 理論上應(yīng)該板端的定位速度就會(huì)慢了
不會(huì)到Wireless 才變慢

10. 由上面可知 頻偏跟X’TAL/PMIC/Transceiver/MSM 有關(guān)

因此Shielding Cover 除了有可能對(duì)X’TAL 產(chǎn)生寄生效應(yīng)
也可能對(duì)PMIC/Transceiver/MSM 內(nèi)部的Bond Wire 產(chǎn)生寄生效應(yīng)
當(dāng)然驗(yàn)證最快方法 就是把Shielding Cover 拔掉

11. 因?yàn)閄’TAL 是壓電材料

進(jìn)而改變震蕩頻率
若X’TAL 附近有Vibrator

會(huì)因?yàn)橥庠谑?產(chǎn)生特定電壓
就會(huì)導(dǎo)致頻偏