V=f*λ=f*2d，由于聲波波長比電磁波短得多，因此，給點頻率下由聲波形成的諧振器將比由電磁信號形成的諧振器小幾個數量級，d為壓電層厚度，可知一般壓電層厚度在幾個微米以下，SAW工藝中叉指電極的指寬與間隙與工作頻率成反比，增加其光刻難度，限制其使用頻率。

聲波在上下界形成串聯諧振

在某交變電壓V（fs）作用下，其極化向量P與電場E同相位，聲波在上下界形成串聯諧振，此時體聲波諧振器的電學阻抗呈最小值。

在某交變電壓V（fp）作用下，其極化向量P與電場E反相位，聲波在上下界形成并聯諧振，此時體聲波諧振器的電學阻抗呈最大值。頻率fp處聲波損耗最小因此該聲信號能順利傳輸通過。

用以表征體聲波諧振器性能的參數，除了上面所述的諧振頻率f（f_s，f_p）之外，還有有效機電耦系數K_eff²和品質因數Q，K_eff²和Q分別定義為：

有效機電耦合系數K_eff²用來表示體聲波諧振器串聯諧振頻率f_s和并聯諧振頻率f_p的相對頻率，同時也表示薄膜體聲波諧振濾波器的帶寬，K_eff²越大，則諧振器構成的濾波器的帶寬也越大，K_eff²主要由壓電薄膜的材料參數決定。

品質因素（Q）可用來判斷諧振器聲波損失的情形；主要有兩個原因會造成聲波的損失：

第一是薄膜本身品質的好壞。一般來說，成長品質不好的薄膜會有高應力、高密度的晶界以及大量的缺陷和雜質，這些缺陷都會造成聲波的散射，因而減低品質因素。而高聲波波速的材料，由于聲波在傳遞時不易被吸收，因此有較高的品質因素。

第二是薄膜的表面粗糙度。電極和壓電薄膜表面粗糙度大，會造成聲波的散射損失以及電極的電損失（Electrical Loss），而造成品質因素的降低。因此，對于體聲波諧振器元件來說，只要是聲波傳遞的路徑，不論是壓電層或是反射層，各層薄膜的成長品質都會影響整體元件的品質因素。

三種FBAR結構

現在主流的FBAR結構主要有三種：空氣隙型、硅反面刻蝕型和固態裝配型。

1、空氣隙型

此種FBAR是基于MEMS的表面微加工技術（surface micromachining），在硅片的上表面形成一個空氣隙以限制聲波于壓電震蕩堆之內。通過先填充犧牲材料最后再移除之的方法制備空氣腔以形成空氣一金屬交界面。此方法可以傳統的硅藝兼容。

2、硅反面刻蝕型

此種FBAR是基于MEMS的體硅（Si）微加工技術（bulk micromachining），將Si片反面刻蝕。在壓電震蕩堆的下表面形成空氣一金屬交界面從而限制聲波于壓電震蕩堆之內。此技術的缺點是由于大面積移除Si襯底，導致機械牢度降低。