1、引言
高頻微波開關(guān)是各種軍事系統(tǒng)工程中十分重要的基礎(chǔ)機(jī)電元件之一,是實(shí)現(xiàn)在各種惡劣環(huán)境和特定的空間內(nèi)將微波信號(hào)實(shí)行切換的特定功能的機(jī)電元件,在我國的衛(wèi)星通信、電子對(duì)抗、雷達(dá)工程及各種測(cè)量?jī)x器等方面運(yùn)用廣泛。本文旨在介紹微波開關(guān)傳輸部分的設(shè)計(jì)思路,并對(duì)微波開關(guān)的結(jié)構(gòu)運(yùn)用MicroWave Studio仿真設(shè)計(jì)計(jì)算進(jìn)行初步探討。
2、微波開關(guān)高頻特性指標(biāo)
序號(hào) | 工作頻率(GHz) | 駐波比(max) | 隔離度(min) | 插入損耗(max) |
1 | 0-1 | 1.15 | 80 | 0.15 |
2 | 1-4 | 1.25 | 80 | 0.20 |
3 | 4-8 | 1.35 | 70 | 0.35 |
4 | 8-12.4 | 1.45 | 60 | 0.45 |
3.1、微波開關(guān)工作原理
本文介紹的微波開關(guān)是一個(gè)單刀雙擲轉(zhuǎn)換開關(guān),開關(guān)工作原理是:利用電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)被激勵(lì)后產(chǎn)生對(duì)矩形微帶線產(chǎn)生的推力,使其中一組處于斷開的矩形微帶線位移實(shí)現(xiàn)同高頻同軸插座的導(dǎo)通,而另一組則處于矩形微帶線在彈簧力的作用下高頻同軸插座分離,實(shí)現(xiàn)信號(hào)的斷開,當(dāng)激勵(lì)被撤除后,開關(guān)又恢復(fù)原狀態(tài),該開關(guān)共用一個(gè)高頻輸入端RFIN。(見圖一)
圖一、微波開關(guān)工作原理圖
3.2、微波傳輸結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
傳輸結(jié)構(gòu)是開關(guān)的核心部分,主要是由簧片、基座、SMA插座等零組件組成(見圖二)?;善cSMA插座插芯的接觸是靠電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)推驅(qū)動(dòng)桿實(shí)現(xiàn)的,兩者的接觸正壓力等于電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換力減去彈簧的彈力,由于電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換力遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于彈簧的的彈力,形成足夠的機(jī)械保持力,從而保證開關(guān)的接觸可靠,而簧片與SMA插座插芯的分離是靠壓簧推動(dòng)復(fù)位桿驅(qū)動(dòng)簧片與SMA插座插芯的分離來實(shí)現(xiàn)的,兩組接觸對(duì)交替轉(zhuǎn)換;電磁驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)采用蹺蹺板結(jié)構(gòu)形式,可靠性高、壽命長(zhǎng)、靈敏度高。
圖二、傳輸結(jié)構(gòu)示意圖
3.3、結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)
本開關(guān)轉(zhuǎn)換高頻通道的傳輸途徑是通過同軸線——微帶線(帶狀線)——同軸線共同構(gòu)成的。在傳輸線的每一個(gè)長(zhǎng)度單元上,應(yīng)盡可能使特性阻抗等于標(biāo)稱值50Ω,以盡可能地減小反射。因此在結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)時(shí),可將本開關(guān)高頻通道的結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)計(jì)算分為:標(biāo)準(zhǔn)對(duì)稱微帶線的設(shè)計(jì)和同軸插座的設(shè)計(jì),通過計(jì)算可初步確定各關(guān)鍵零件的結(jié)構(gòu)尺寸,為進(jìn)行三維仿真設(shè)計(jì)奠定基礎(chǔ)。
3.3.1、標(biāo)準(zhǔn)對(duì)稱微帶線的設(shè)計(jì)
控制對(duì)稱微帶線特性阻抗的重要參數(shù)為導(dǎo)體(簧片)寬度、介質(zhì)厚度和基片材料的介電常數(shù)。對(duì)稱微帶線為矩形同軸傳輸線主要是由腔體、蓋板、微帶線組成,計(jì)算時(shí)忽略高頻輸入、輸出插座的影響,按理想狀態(tài)確定標(biāo)準(zhǔn)對(duì)稱微帶線,為了計(jì)算方便,把矩形同軸傳輸線近似的看作對(duì)稱標(biāo)準(zhǔn)微帶傳輸線,對(duì)稱式帶狀傳輸線的電傳輸方面的有關(guān)主要尺寸如圖三所示:
圖三、對(duì)稱標(biāo)準(zhǔn)微帶端面圖
可根據(jù)下表初步確定對(duì)稱標(biāo)準(zhǔn)微帶端面的尺寸。
t/b 0.01 |
t/b 0.05 |
t/b 0.10 |
t/b 0.20 |
t/b 0.30 |
t/b 0.50 |
|
W/b | ||||||
50Ω | 1.40774 | 1.29606 | 1.17327 | 0.95389 | 0.75739 | 0.41725 |
3.3.2、同軸插座的設(shè)計(jì)
輸入插座和輸出插座均為SMA型結(jié)構(gòu)的同軸插座,所以,插座接口部分的結(jié)構(gòu)是標(biāo)準(zhǔn)的,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)計(jì)算采用同軸線特性阻抗的計(jì)算公式如下,
……………………1
式中,Zc為特性阻抗,輸入輸出插座要求為50Ω,εr為介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù),空氣的相對(duì)介電常數(shù)為1,聚四氟乙烯支撐處的相對(duì)介電常數(shù)為2.2,D為外導(dǎo)體的內(nèi)徑,d為內(nèi)導(dǎo)體的外徑。
4、微波開關(guān)三維仿真設(shè)計(jì)
利用三維高頻電磁場(chǎng)分析軟件對(duì)微波開關(guān)進(jìn)行建模仿真和計(jì)算,可以提高產(chǎn)品設(shè)計(jì)的成功率,得到設(shè)計(jì)可能達(dá)到的性能數(shù)據(jù),通過進(jìn)一步優(yōu)化使模型達(dá)到所要求的性能指標(biāo),再安排生產(chǎn)出的樣品,其性能指標(biāo)會(huì)非常接近設(shè)計(jì)的要求。
4.1、CST MICROWAVE STUDIO 軟件簡(jiǎn)介
MicroWave Studio(微波工作室)是德國CST公司的三維高頻電磁場(chǎng)仿真計(jì)算軟件,是國際上主流的三大高頻電磁場(chǎng)軟仿真計(jì)算件之一,具有強(qiáng)大的建模功能,豐富的材質(zhì)庫和模型庫,它可以模擬波導(dǎo)、空間、微帶線路、同軸線及腔體中的三維電磁場(chǎng),可以方便的實(shí)現(xiàn)天線、濾波器、波導(dǎo)器件、連接器的仿真模擬和優(yōu)化。
4.2、仿真計(jì)算
高頻微波的傳輸是通過某些特殊結(jié)構(gòu)的傳輸系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的,本開關(guān)的高頻信號(hào)是通過同軸線到矩形帶狀線再到同軸線的傳輸模式,在整個(gè)傳輸中存在多處導(dǎo)體截面突變和轉(zhuǎn)直角,阻抗的不連續(xù)是不可避免的:整個(gè)傳輸通道的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致不連續(xù)電容的存在;零件機(jī)械尺寸會(huì)導(dǎo)致特性阻抗的漂移;電磁場(chǎng)場(chǎng)形變化產(chǎn)生特性阻抗的不連續(xù)。通過理論計(jì)算只能初步確定部分零件的機(jī)械尺寸,因此還必須借助三維高頻電磁場(chǎng)仿真計(jì)算軟件進(jìn)行仿真優(yōu)化。首先,對(duì)開關(guān)結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡(jiǎn)化,在MicroWave Studio軟件中建立相應(yīng)的開關(guān)高頻傳輸結(jié)構(gòu)模型(見圖四),其次,進(jìn)行參數(shù)設(shè)置,所有材料參數(shù)設(shè)置見下表,將背景材料設(shè)為PEC,即為金屬導(dǎo)體,將測(cè)試頻率范圍設(shè)置為0.04MHz~12.4GHz,以5GHz為中心頻率,下一步進(jìn)行端口設(shè)置:將兩端連接器界面設(shè)置成50Ω端口,設(shè)置求解條件:點(diǎn)頻5GHz,10次迭代,最大誤差0.01,F(xiàn)ast掃頻方式、0.04MHz~12.4GHz,分為50份。
圖四 在MicroWave Studio中建立的三維仿真模型
模型中材料參數(shù)
名稱 | name | Relative pemittivity | Relative permeability | Bulk conductivity |
空氣 | air | 1.0006 | 1.0000004 | 0 |
聚四氟乙烯 | Teflon(tm) | 2.05 | 1 | 0 |
銅 | copper | 1 | 0.999991 | 58000000siemens/m |
鋁 | aluminum | 1 | 1.0000021 | 33000000siemens/m |
4.3、仿真計(jì)算結(jié)果
我們針對(duì)同軸與帶狀線轉(zhuǎn)接及帶狀線的結(jié)構(gòu)尺寸進(jìn)行多種方案的仿真計(jì)算,最終確定帶狀線和基座形腔尺寸(見圖五)。
圖五、帶狀線和基座形腔結(jié)構(gòu)
4.4、測(cè)試結(jié)果
將優(yōu)化計(jì)算得到的數(shù)據(jù)用于產(chǎn)品的設(shè)計(jì)當(dāng)中,樣品生產(chǎn)后經(jīng)測(cè)試,部分樣品的高頻指標(biāo)達(dá)到了指標(biāo)要求(見圖六),但也有部分樣品的指標(biāo)達(dá)不到要求,經(jīng)分析主要是由于開關(guān)零件在加工過程中,零件機(jī)械公差未能控制到位引起的阻抗的不連續(xù)造成的。
圖六、樣品測(cè)試結(jié)果
5、結(jié)束語
本開關(guān)的設(shè)計(jì)通過采用理論設(shè)計(jì)初步確定微波傳輸通道相關(guān)零件結(jié)構(gòu)的標(biāo)稱尺寸,通過三維高頻電磁場(chǎng)仿真計(jì)算軟件建模后仿真優(yōu)化,確定最終產(chǎn)品結(jié)構(gòu)尺寸。由于本微波開關(guān)實(shí)質(zhì)上是一段帶有連接機(jī)構(gòu)、轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)和其它裝置的非均勻同軸線,與均勻同軸線相比,它有四處明顯的不均勻:連接器界面配合區(qū)域、同軸插座到標(biāo)準(zhǔn)對(duì)稱微帶線以及標(biāo)準(zhǔn)對(duì)稱微帶線到同軸插座過渡區(qū)域、均勻支撐區(qū)域以及導(dǎo)體尺寸過渡區(qū)域。在這些地方,都存在著導(dǎo)體直徑或?qū)w形狀的變化,因而出現(xiàn)了不連續(xù)電容,引起反射,因此,還要通過加工實(shí)際樣品多次試驗(yàn)測(cè)量驗(yàn)證并修正部分零件結(jié)構(gòu)尺寸,以達(dá)到所需的產(chǎn)品性能。
參考文獻(xiàn):
1. 梨安堯,微波技術(shù)基礎(chǔ), 電子科技大學(xué), 1998
2. 甘本祓,微波傳輸線設(shè)計(jì)手冊(cè),人民郵電出版社, 1981