同軸連接器配對連接后，總是希望插頭和插座兩者的內(nèi)、外導(dǎo)體在軸向?qū)崿F(xiàn)緊密接觸。但由于機(jī)械結(jié)構(gòu)的原因，要達(dá)到兩者都能緊密接觸是非常困難的。為了預(yù)防插損內(nèi)導(dǎo)體，通常設(shè)計時使外導(dǎo)體端面緊密接觸無間隙，允許內(nèi)導(dǎo)體的接觸端有微小間隙。設(shè)內(nèi)導(dǎo)體的接觸端面間隙為g，如圖3，該間隙所引起的電壓駐波比取決于間隙的寬度和陰性接觸件的槽寬。引起的駐波比的計算公式如下：

式中：
f--為工作頻率；  單位：GHz；
g--內(nèi)導(dǎo)體間隙寬度；單位：mm；
d_g--內(nèi)導(dǎo)體插針的直徑；單位：mm；
ω--插孔上的槽寬；單位：mm；
d--內(nèi)導(dǎo)體外徑；單位：mm；
N--內(nèi)導(dǎo)體插孔上槽的數(shù)目。

因種種原因，外導(dǎo)體接觸端面存在間隙時，設(shè)間隙為G，則引起的駐波比的相應(yīng)公式為：

式中：
f--為工作頻率；單位：GHz；
G--外導(dǎo)體端面間隙寬度；單位：mm；
D_g--間隙區(qū)內(nèi)外導(dǎo)體直徑；單位：mm；
D--外導(dǎo)體標(biāo)稱內(nèi)徑；單位：mm；
W--外導(dǎo)體接觸件上的槽寬；單位：mm；
N--外導(dǎo)體接觸件上開槽的數(shù)目。

2.3 絕緣支撐的軸向位置和結(jié)構(gòu)設(shè)計對特性阻抗的影響。

為了支撐內(nèi)導(dǎo)體，不得不設(shè)置絕緣支撐，絕緣支撐的設(shè)置，不得不切割內(nèi)、外導(dǎo)體。內(nèi)切割內(nèi)導(dǎo)體和外切割外導(dǎo)體不可避免地在絕緣支撐的表面引起不連續(xù)電容，形成反射；絕緣支撐的厚度和絕緣支撐相互之間的距離若設(shè)計不當(dāng)，也會引起反射。所有這些都會影響射頻連接器的電壓駐波比。

2.3.1. 阻抗設(shè)計

當(dāng)作寬帶絕緣支撐設(shè)計時，根據(jù)基本設(shè)計原則1，在絕緣支撐內(nèi)部的特性阻抗必須和與之相連的空氣介質(zhì)區(qū)的特性阻抗相同。如果在絕緣支撐和內(nèi)、外導(dǎo)體的金屬表面存在空氣隙，則很容易致使截面上的相對介電常數(shù)發(fā)生變化，因而對該處的特性阻抗會有很大的影響。當(dāng)特性阻抗有偏差時，該偏差引起的駐波比由下式給出：

式中：
S是以百分?jǐn)?shù)表示的駐波比；
_△Z是以百分?jǐn)?shù)表示的特性阻抗的誤差；
f是以GHz為單位的頻率；
f_o是以GHz為單位的頻率，在這個頻率時，絕緣支撐的電長度是一個波長。

對切割內(nèi)、外導(dǎo)體處絕緣支撐表面引起的不連續(xù)電容，通常采用挖去部分材料的辦法，進(jìn)行共面補(bǔ)償，由界面補(bǔ)償?shù)男≌`差引起的駐波比由下式給出：

式中：S、f和f_o與前含義相同；
Δx是在1.0GHz時以百分?jǐn)?shù)表示的單一面上的駐波比。

當(dāng)工作頻率不高時，可以采用高阻設(shè)計。即絕緣支撐內(nèi)部的特性阻抗Z_ε略高于標(biāo)稱阻抗Z。，通常的作法是取Z_ε=1.08Z。有時也采用幾何平均值兩段式過渡的方式，即滿足等式：  。Z₁表示第一段的阻抗，Z₂表示第二段的特性阻抗。

2.3.2. 絕緣支撐的厚度

在均勻同軸傳輸線中絕緣支撐的諧振頻率是絕緣支撐長度(厚度)及其相對介電常數(shù)的函數(shù)，在厚度B一定時，諧振頻率隨介電常數(shù)ε_r的減小而升高，在ε_r一定時，諧振頻率隨絕緣支撐的厚度B的減小而升高。當(dāng)B趨近于零時，就成為一個空氣同軸線，其諧振頻率由它的截止頻率所決定。而當(dāng)B接近外導(dǎo)體直徑D時，由于絕緣支撐的諧振作用使得同軸線中的電磁波傳輸極不穩(wěn)定，并使同軸線的截止頻率受到約束而下降?？梢?，絕緣支撐的厚度必須小于外導(dǎo)體的直徑，即B＜D，而且厚度B越薄越好。為避免在同軸線中出現(xiàn)高次模，絕緣支撐的厚度B應(yīng)滿足式：

式中：
B為絕緣支撐的厚度；
f_c為空氣同軸線的理論上限頻率；
f為工作頻率；
λ_g為工作頻率的波長；
ε_r為絕緣支撐的相對介電常數(shù)。

2.3.3. 絕緣支撐在連接器的軸向位置

一對插合的連接器，其絕緣支撐在同軸線中的位置以距同軸線直徑變化處的位置模型如下圖所示：

圖4.絕緣支撐在連接器中的軸向位置模型