微波暗室的電性能指標主要由靜區(qū)的特征來表征。靜區(qū)的特性又以靜區(qū)的大小、靜區(qū)內(nèi)的最大反射電平、交叉極化度、場均勻性、路徑損耗、固有雷達截面、工作頻率范圍等指標來描述。

    影響微波暗室性能指標的因素是多元化的，也是很復雜的。在利用光線發(fā)射法和能量物理法對暗室性能進行仿真計算時，需要考慮電波的傳輸去耦，極化去耦，標準天線的方向圖因素，吸波材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影響。但在實際的工程設(shè)計過程中，往往以吸波材料的性能作為暗室性能的關(guān)鍵決定因素。

1)交叉極化度：由于暗室結(jié)構(gòu)的不嚴格對稱、吸波材料對各種極化波吸收的不一致性以及暗室測試系統(tǒng)等因素使電波在暗室傳播過程中產(chǎn)生極化不純的現(xiàn)象。如果待測試天線與發(fā)射天線的極化面正交和平行時，所測試場強之比小于-25dB，就認為交叉極化度滿足要求。

2)多路徑損耗：路徑損耗不均勻會使電磁波的極化面旋轉(zhuǎn)，如果以來波方向旋轉(zhuǎn)待測試天線，接收信號的起伏不超過±0.25 dB，就可忽略多路徑損耗。

3)場均勻性：在暗室靜區(qū)，沿軸移動待測試天線，要求起伏不超±2dB；在靜區(qū)的截面上，橫向和上下移動待測天線，要求接收信號起伏不超過±0.25 dB。

1)有限測試距離所引起的誤差。

    設(shè)待測的是平面天線，接收的來波沿其主波束的軸向。若測試距離大小，由待測天線之不同部位所接受的場不能相同，因此具有平方根律相位差。若待測天線恰位于源天線遠場區(qū)的邊界2D²/λ，其口徑邊緣與相位中心的場存在22.5度的相位差.若測試距離加倍，在相位差減半。

    對于測量中等旁瓣電平的天線，距離2D²/λ通常已經(jīng)足夠，測出的增益約偏小0.06dB。測試距離縮短會使測量誤差迅速增大，旁瓣會與主波束合并成肩臺式，甚至合為一體。通常0.25 dB的錐銷使測出的增益降低約為0.1 dB，并造成近旁瓣的些許誤差。

2)反射。

    直射波受從周圍物體反射的干涉，在測試區(qū)域形成場的變化，由于該波波程差作為位置的函數(shù)而迅速變化，使起伏的長度屬于波長的數(shù)量級。例如比直射波低20 dB的反射波，可引起-0.92～+0.83 dB的功率誤差，具體取決于兩種之間的差異；相位測量的誤差范圍為±5.7°，但若反射波的場比直射波低40dB，則側(cè)出的幅度與相位分別僅有±0.09與±0.6°的誤差。

    反射在低旁瓣的測量中特別有害。一項很小的反射通過主瓣耦合到待測天線，可以完全掩蓋住耦合到旁瓣的直射波。如果相耦合的直射和反射波強度相等，則測出的旁瓣電平會抬高6 dB左右，或者在測得的波瓣圖中成為零點。

3)其他誤差。

    還可能導致天線測量產(chǎn)生誤差的因素有：低頻時與電抗近場的耦合可能比較顯著；測量天線的對準誤差；其他干擾信號；測試電纜所引起的誤差等。