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探討電磁干擾和射頻干擾及其抑制措施

2014-02-28 來源:微波射頻網(wǎng) 字號(hào):

1、引言

隨著電子系統(tǒng)的日益精密、復(fù)雜及多功能化,電子干擾問題日趨嚴(yán)重,它可使系統(tǒng)的性能發(fā)生變化、減弱,甚至導(dǎo)致系統(tǒng)完全失靈。特別是EMI/RFI(電磁干擾/射頻干擾)問題,已成為近幾年電子產(chǎn)業(yè)的熱點(diǎn)。為此,不少國家的專業(yè)委員會(huì)相繼制定了法規(guī),對電子產(chǎn)品的電磁波不泄露、抗干擾能力提出了嚴(yán)格規(guī)定,并強(qiáng)制執(zhí)行。

美國聯(lián)邦通信委員會(huì)(FCC)于1983年頒布了20780文件,對計(jì)算機(jī)類器件的EMI進(jìn)行限制;德國有關(guān)部門頒布了限制EMI的VDE規(guī)范,在放射和輻射方面的約束比FCC規(guī)范更嚴(yán)格;歐洲共同體又在VDE規(guī)范中增加了RF抗擾性、靜電泄放和電源線抗擾性等指標(biāo)。FCC、VDE規(guī)范將電子設(shè)備分為A(工業(yè)類設(shè)備)和B(消費(fèi)類設(shè)備)兩類,具體限制如表1所示。

電磁干擾和射頻干擾及其抑制措施研究

此外,還有一系列適用于電子EMI/RFI防護(hù)的標(biāo)準(zhǔn)文件:MIL-STD-461、MIL-STD-462、MIL-STD-463、MIL-STD-826、MIL-E-6051、MIL-I-6181、MIL-I-11748、MIL-I-26600、MSFC-SPEC279等,所有這些法規(guī)性文件對電子系統(tǒng)的干擾防護(hù)起到了重大的作用。本文詳細(xì)討論了電子線路及系統(tǒng)中EMI/RFI的特征及其抑制措施。

2、EMI/RFI特性分析

電子系統(tǒng)的干擾主要有電磁干擾(EMI)、射頻干擾(RFI)和電磁脈沖(EMP)三種,根據(jù)其來源可分為外界和內(nèi)部兩種,每個(gè)電子電氣設(shè)備均可看作干擾源,這種干擾源不勝枚舉。EMI是在電子設(shè)備中產(chǎn)生的不需要的響應(yīng);RFI則從屬于EMI;EMP是一種瞬態(tài)現(xiàn)象,它可由系統(tǒng)內(nèi)部原因(電壓沖擊、電源中斷、電感負(fù)載轉(zhuǎn)換等)或外部原因(閃電、核爆炸等)引起,能耦合到任何導(dǎo)線上,如電源線和電話線等,而與這些導(dǎo)線相連的電子系統(tǒng)將受到瞬時(shí)嚴(yán)重干擾或使系統(tǒng)內(nèi)的電子電路受到永久性損壞。圖1給出了常見EMI/RFI的干擾源及其頻率范圍。

電磁干擾和射頻干擾及其抑制措施研究

圖1、常見干擾源及頻率范圍

2.1、干擾途徑

任何干擾問題可分解為干擾源、干擾接收器和干擾的耦合途徑三個(gè)方面,即所謂的干擾三要素。如表2所示。

電磁干擾和射頻干擾及其抑制措施研究

干擾信號(hào)是通過傳導(dǎo)(電路或系統(tǒng)的內(nèi)部連接,干擾源和接收器由導(dǎo)體連接)、輻射(寄生電感和寄生電容,干擾源和接收器相距大于數(shù)個(gè)波長)和感應(yīng)(電容效應(yīng)與電感效應(yīng),干擾源和接收器相距小于數(shù)個(gè)波長)到達(dá)接收器。如果干擾信號(hào)的頻率小于30 MHz,主要通過內(nèi)部連接耦合;如果大于30 MHz,其耦合途徑是電纜輻射和連接器泄露;如果大于300 MHz,其耦合途徑是插槽和母板輻射。許多情況下,干擾信號(hào)是一寬帶信號(hào),其耦合方式包括上述所有情形。

2.2、EMI特性分析

在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,應(yīng)從三個(gè)方面來考慮電磁干擾問題:首先是電子系統(tǒng)產(chǎn)生和發(fā)射干擾的程度;其次是電子系統(tǒng)在強(qiáng)度為1~10 V/m、距離為3米的電磁場中的抗擾特性;第三是電子系統(tǒng)內(nèi)部的干擾問題。

利用干擾三要素分析與EMI相關(guān)的問題需要用FAT—ID概念。FAT—ID是描述任何EMI問題固有特性的五個(gè)關(guān)鍵因素的縮寫,這五個(gè)關(guān)鍵參數(shù)是頻率、幅度、時(shí)間、阻抗和距離。實(shí)際上,信號(hào)的時(shí)間響應(yīng)包含了干擾頻譜響應(yīng)的所有信息。在數(shù)字系統(tǒng)中,信號(hào)上升時(shí)間和脈沖重復(fù)率產(chǎn)生的頻譜分量可根據(jù)下式計(jì)算:

將FAT—ID應(yīng)用于電子系統(tǒng)時(shí),EMI輻射便成為信號(hào)上升時(shí)間和脈沖重復(fù)率的二次函數(shù)。

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