在EMI分析中的另一個(gè)重要參數(shù)是電纜的尺寸、導(dǎo)線及護(hù)套，這是因?yàn)?，?dāng)EMI成為關(guān)鍵因素時(shí)，電纜相當(dāng)于天線或干擾的傳輸器，必須考慮其物理長(zhǎng)度與屏蔽問(wèn)題。

內(nèi)部干擾是指系統(tǒng)內(nèi)部高速數(shù)字線路對(duì)敏感模擬線路和其它數(shù)字線路的影響，或電源噪聲對(duì)模擬／數(shù)字線路的污染。內(nèi)部干擾通常產(chǎn)生于數(shù)字和模擬電路之間，或驅(qū)動(dòng)器與數(shù)字線路之間。

2.3、RFI特性分析

現(xiàn)實(shí)生活中的無(wú)線電發(fā)射源是極其豐富的，如無(wú)線電臺(tái)、電視臺(tái)、移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)、電動(dòng)機(jī)、電錘等等，數(shù)不勝數(shù)。所有這些電子活動(dòng)都會(huì)影響電子系統(tǒng)的性能。無(wú)論RFI的強(qiáng)度和位置如何，電子系統(tǒng)對(duì)RFI必須有一個(gè)最低的抗擾度。在通信、無(wú)線電工程中，抗擾度定義為設(shè)備承受每單位RFI功率強(qiáng)度的敏感度。在大多數(shù)RFI分析中，用電場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)描述RFI激勵(lì)，即

式中E為電場(chǎng)強(qiáng)度（V／m）；PT為發(fā)送功率（mW／cm²）。

從“干擾源—耦合途徑—接收器”的觀點(diǎn)出發(fā)，電場(chǎng)強(qiáng)度E是發(fā)射功率、天線增益和距離的函數(shù)，即

式中GA為天線增益；d為電路或系統(tǒng)距干擾源的距離（m）。

由于模擬電路一般在高增益下運(yùn)行，對(duì)RF場(chǎng)比數(shù)字電路更為敏感，因此，必須解決μV級(jí)和mV級(jí)信號(hào)的問(wèn)題；對(duì)于數(shù)字電路，由于它具有較大的信號(hào)擺動(dòng)和噪聲容限，所以對(duì)RF場(chǎng)的抑制力更強(qiáng)。RF場(chǎng)可通過(guò)電感／電容耦合產(chǎn)生噪聲電壓或噪聲電流。

3、無(wú)源元件在EMI／RFI環(huán)境中的特性

無(wú)源元件的合理使用可減小EMI／RFI對(duì)電路或系統(tǒng)的影響，對(duì)于設(shè)計(jì)者，應(yīng)對(duì)抗干擾的主要工具--無(wú)源元件有足夠的了解，特別是它們的非理想作用。圖2給出了無(wú)源器件在電路中的非理想特性。

圖2、無(wú)源器件在電路中的非理想特性

可以看出，在很高頻率時(shí)，導(dǎo)線變成了反射線，電容變成了電感，電感變成了電容，電阻變成了共振電路。在低頻時(shí)，導(dǎo)線具有很低的電阻（＜0.0656Ω／m），但它的寄生電感約為0.079 nH／m，當(dāng)頻率大于13 kHz時(shí)，就變成了電感，由于電感的不可控性，最終使其變成一根發(fā)射線。根據(jù)天線理論可知，無(wú)端接的傳輸線將變成一個(gè)具有增益的天線。

4、低通濾波器在抑制EMI／RFI中的應(yīng)用

低通濾波器是一種很早就被人們采用的干擾凈化技術(shù)，對(duì)共模和差模噪聲有較強(qiáng)的抑制作用。圖3所示電路可用于防止模擬電路受EM場(chǎng)和RF場(chǎng)干擾。

圖3、模擬電路防止RFI的技術(shù)原理

可以看出，干擾的耦合途徑有信號(hào)輸入、信號(hào)輸出和電源供應(yīng)三個(gè)點(diǎn)，所以采用0.1μF的高頻陶瓷電容對(duì)所有的電源供應(yīng)端進(jìn)行退耦；采用截止頻率高于信號(hào)帶寬10～100倍的低通濾波器對(duì)所有的信號(hào)線進(jìn)行濾波。

對(duì)于低通濾波器，必須保證在預(yù)期的最高頻率段也是有效的，因?yàn)?，?shí)際的低通濾波器在高頻時(shí)會(huì)出現(xiàn)泄露現(xiàn)象，如圖4所示。這是由于寄生電容引起電感效率的損失，寄生電感引起電容效率的損失所造成的。對(duì)于低通濾波器（電感、電容組成），當(dāng)輸入信號(hào)頻率比濾波器截止頻率高100～1000倍時(shí)，就發(fā)生泄露現(xiàn)象。為此，一般不采用一級(jí)低通濾波器，而是分為低頻帶、中頻帶和高頻帶且每個(gè)頻帶單獨(dú)設(shè)置濾波器，如圖5所示。

圖4、低通濾波器在100～1000f₃dB時(shí)的效率