場效應管(FET)是一種具有pn結的正向受控作用的有源器件，它是利用電場效應來控制輸出電流的大小，其輸入端pn一般工作于反偏狀態或絕緣狀態，輸入電阻很高，柵極處于絕緣狀態的場效應管，輸入阻抗很大。目前廣泛應用的是SiO2為絕緣層的絕緣柵場效應管，稱為金屬-氧化物-半導體場效應管，簡稱MOSFET。以功能類型劃分，MOSFET分為增強型和耗盡型兩種，其中耗盡型與增強型主要區別是在制造SiO2絕緣層中有大量的正離子，使在P型襯底的界面上感應出較多的負電荷，即在兩個N型區中間的P型硅內形成一層N型硅薄層而形成一個導電溝道，所以在VGS＝0時，有VDS作用時也有一定的ID(IDSS)；當VGS有電壓時(可以是正電壓或負電壓)，改變感應的負電荷數量，從而改變ID的大小。VP為ID＝0時的-VGS，稱為夾斷電壓。

MOSFET的特點是用柵極電壓來控制漏極電流。隨著微電子集成化的需要越來越高，FET器件的尺寸也越來越小，而普通FET器件散熱性受材料本身限制很難有進一步的提高，石墨烯由于其優良的熱導率制作出的FET器件“完美”的解決該問題。

自從場效應管發明以來，人們一直嘗試將電場效應應用到金屬材料上，制造金屬基場效應管。利用金屬制造晶體管不僅可以將尺度做小，而且可以降低功耗，并且使用頻率高于傳統半導體.但是由于金屬屏蔽效應，電場在金屬中的穿透深度小于 1nm，因此制造金屬晶體管時需要使用原子級厚度的金屬薄膜。但是由于熱動力學原因，當金屬薄膜達到納米級別時不能穩定存在。另外，對于金屬而言，電場效應誘導的載流子濃度一般不會超過 1013cm-2，比納米尺度的金屬薄膜中的本征載流子濃度低幾個量級（近似可以忽略），通過電場效應很難實現調制載流子濃度，因此利用金屬制造晶體管一直沒有實現。

半金屬 Graphene不僅具有高載流子濃度和載流子遷移率，亞微米尺度的彈道輸運特性和電場調制載流子特性，而且可以在室溫下穩定存在，為 Graphene的實用化奠定了基礎。利用 Graphene制造的晶體管可以實現低功耗、高頻率、小型化等特性。由于 Graphene是半金屬性材料 （semi- metal），在狄拉克點處能帶交疊，沒有帶隙，因此很難實現開關特性。為了使 Graphene可以應用于晶體管的制造，通過各種方法在 Graphene中形成帶隙：

（1）通過對稱性破缺場或相互作用等使Graphene簡并度降低，朗道能級發生劈裂，在導帶與價帶之間引入能隙。這方面工作目前主要集中在雙層Graphene上，通過摻雜、外加電場以及基底作用誘導等方式引入對稱破缺，實現人工調制能隙。

（2）對于弱無序體系，被弱屏蔽的庫侖相互作用可以改變帶粒子圖景，使 Graphene出現能隙 （量子霍爾鐵磁）。

（3）通過尺寸效應或量子受限 （如Graphene nanoribbons）引入能隙。Barone等人通過密度泛函計算預言，對于手性納米帶，導帶與價帶間的帶隙隨著手性角的變化發生振蕩。對于某些類型的Graphene納米帶，通過調節納米帶寬，也可以實現對帶隙寬度的調節 （能隙與納米帶寬之間存在反比關系）。

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