IMEC的薄膜技術也是采用電鍍銅做為連接線路，BCB做為介電層，Ni/Au層做為最終連接面金屬，使用多達4層的金屬層。其IPD結構如圖3所示。

（3）Dai Nippon

Dai Nippon發展的IPD電阻以Ti/Cr為主，電容采用陽極氧化形成Ta2O5的制程，電感設計為有微帶線和螺旋電感，線路以銅為主。如圖4所示。

（4）SyChip

SyChip發展的IPD以TaSi為電阻材料，電容的介電材料為Si3N4，上電極為Al，下電極為TaSi，電感和線路材料都采用鋁。如圖5所示。

有一些公司正在采用MEMS工藝來發展IPD，如PHS MEMS公司，據該公司解釋，制造MEMS元件的方法基本上來自IC產業。同時，一些老牌公司在開發相關技術的同時，也通過收購等手段獲得市場和技術，如村田（Murata）就收購了SyChip公司，期望通過該次收購擴張其在射頻應用市場的份額。

4、薄膜集成無源元件技術的結構與制程

薄膜制程與厚膜制程最大的差異就在于產生的膜厚，一般所謂的厚膜厚度多在5μm ~ 10μm以上，而薄膜制程產生的膜厚約在0.01μm ~ 1μm之間。

如果利用薄膜制程同時形成電阻、電容、電感的元件，需要用不同的制程與材料來制作。薄膜技術應用在半導體集成電路制程，技術發展已經相當成熟，所以在進行制程整合時，只需注意不同元件間材料的相容性，即可達成制程的設計。

整體而言，薄膜IPD集成無源元件，可因不同的產品應用，制作在不同的基板上，基板可選擇硅晶片、氧化鋁陶瓷基板、玻璃基板，薄膜IPD集成無源元件技術可以集成薄膜電阻、電容和電感于一體，其制程技術開發，包括：微影加工技術、薄膜沉積加工技術、蝕刻加工技術、電鍍加工技術、無電極電鍍加工技術，整個加工流程如圖6所示。除了無源元件的整合，在硅晶片上也可以結合主動元件的制程，將無源元件與主動元件電路整合以達到多功能化的需求。下面就薄膜電阻、電容和電感的加工分別作簡單介紹。