（1）薄膜電阻加工

薄膜電阻的制作方式通常利用濺射制程，電阻材料電鍍于絕緣基材上，再利用光阻與刻蝕的技術，加工出電阻圖形以獲得設計的電阻值，其制程示意圖如圖7所示。

在材料的運用上，需要考慮電阻材料的TCR即不同溫度下的電阻變化率。薄膜電阻的形成方式有真空蒸鍍、濺射、熱分解以及電鍍，而常用的電阻材料則包含有單一成分金屬。合金及金屬陶瓷三類。

（2）薄膜電容加工

因為MIS（Metal-Insulator-Semiconductor金屬-絕緣體-半導體結構）薄膜電容利用半導體作為底電極，使電容本身具有寄生電阻，造成元件的共振頻率降低，無法應用于200 MHz以上的率，所以高頻的應用就必須要選擇MIM（Metal-Insulator-Metal金屬-絕緣體-半導體結構）薄膜電容，MIM電容可降低寄生電阻值，進而提高元件共振頻率，而共振頻率則是取決于介電材料的自振頻率。與薄膜電阻一樣，薄膜電容需要考慮電容變化率，并且介電常數也需要考慮，其制程示意圖如圖9所示。

另外，需要注意基材的表面粗糙度Ra<0.3 μm，若粗糙度Ra值超過規定范圍，介電層容易被下底電極的突丘（Hill Lock）穿透，形成短路。

（3）薄膜電感加工

薄膜電感制程與電阻制程相似，但主要的設計考慮在于如何降低其寄生電容和提高元件的品質因子（Q），由于電感特性比率，考慮到降低其直流阻抗以提高Q值的需求，所以電感導線的膜厚必須要在5 μm ~10 μm之間，所以制程上通常采用電鍍方式形成電感導線以符合需求。

基材的表面粗糙度會影響薄膜電感的特性，尤其在高頻時，過高的表面粗糙度容易造成雜訊的升高，造成高頻特性降低，所以基材的選擇、制作及加工都會影響到整個薄膜元件的性能。

5、IPD技術對PCB技術發展的影響

隨著技術的進步，PCB印制電路板朝著更高精度和更高密度的方向發展，而且逐步和IC封裝領域高度集成，無源元件集成符合當今電子系統的發展趨勢，IPD技術已經成為系統級封裝（SiP）的一個重要實現方式.

IPD集成無源元件技術具有布線密度高、體積小、重量輕；集成度高，可以埋置電阻、電感、電容等無源器件及有源芯片；高頻特性好，可用于微波及毫米波領域等優點。將薄膜IPD集成無源元件技術應用于PCB加工，達到節約封裝面積、提高信號的傳輸性能.、降低成本、提高可靠性等目的，通過IPD技術的集成優勢，彌合封裝技術和PCB技術之間不斷擴大的差距，可以有效減小電子整機與系統的體積和重量，具有廣闊的市場前景。

對IPD集成無源元件應用PCB加工，可選用高導熱的金屬.金剛石.陶瓷或鋁-炭化硅復合材料等作基板，制造高密度高功率多層電路基板，同時應加強IPD無源集成PCB基板的工藝提升.材料特性的提高以及低成本化，以及加快在微波通訊、高密度集成和大功率等領域的應用。

6、結論

薄膜IPD集成無源元件技術可以集成多種電子功能，具有小型化和提高系統性能的優勢，可以取代體積龐大的分立無源元件。同時，PCB的加工可以引入IPD技術，通過IPD技術的集成優勢，可以彌合封裝技術和PCB技術之間不斷擴大的差距。

薄膜IPD集成無源元件技術的迅速發展，使無源集成技術進入了實用化和產業化階段，新一代無源元件和相關的集成技術，將被廣泛應用于航空航天、軍工、醫療、工控和通訊等各個領域的電子行業，因此發展IPD技術，無論是對企業本身的發展還是提升國內行業的競爭力都具有重要的意義。