VCC 主電源供電管腳
VC1 一級功率放大供電管腳
VC2 二級功率放大供電管腳
RFIN 射頻信號輸入管腳
RFOUT 射頻信號輸出管腳
GAIN_1 增益控制管腳之一
GAIN_2 增益控制管腳之二
POWER_DETECT 內建功率檢測輸出管腳
圖3-2 典型的功放芯片
值得注意的是，GAIN_1和GAIN_2是來自收發器（Transceiver）的控制信號，是直流電壓，POWER_DETECT是功放芯片輸出的發射功率檢測值，也是直流電壓，而RFIN和RFOUT是最重要的射頻信號管腳。
3.1.2. 功放芯片的主要廠商
在市場上的產品中，功放芯片的供應商基本上就是這四家：SiGe，SST，Microsemi，Richwave，表3-1，表3-2給出了幾個實際項目中所采用的功放芯片的型號。
表3-1 Atheros的設計中采用的功放芯片
表3-2 Ralink的設計中采用的功放芯片
通過以上表格，我們很容易發現，Atheros很喜歡Microsemi的芯片，而Ralink則比較喜歡Richwave和SST的，在BCM4323這個項目中，使用的功放芯片是SiGe的，在AP96現在的設計中，使用的也是SiGe的Frontend Module。
3.1.3. 功放芯片的主要參數
功放芯片的選擇是一個復雜的過程，在實際的選擇過程中，我們一般會考慮如下的幾項參數：
工作頻率
小信號增益
最大線性輸出功率
1dB壓縮點輸出功率
誤差向量幅度（EVM）
相鄰信道功率比（ACPR）
噪聲系數
是否內建功率檢測功能
是否內建增益控制功能
供電電壓
消耗的電流
以上的這些參數，并不是在每顆功放芯片的Datasheet中都會完整給出，有些Datasheet只能給出部分參數。各項參數的意義想必大家都很清楚，我在這里就不做過多的解釋了。一個典型的功放芯片的Datasheet（片段）如下：
2.3-2.5GHz Operation
Single Positive Supply Voltage Vcc = 3.3V
Power Gain ~ 27dB
Quiescent Current ~ 90mA
EVM ~ -30dB at Pout = +19dBm
Total Current ~ 150mA for Pout = +19dBm
Pout ~ +26dBm for 11g OFDM Mask Compliance
Total Current ~220mA for Pout = +23dBm 1 Mbps DSSS
On-Chip Input Match
Simple Output Match
Robust RF Input Tolerance > +5dBm
Small & Low-Cost 3x3x0.9mm3 MLP Package
Cost Reduction over LX5510, LX5510B
從以上的敘述中我們了解到，這顆功放芯片的工作頻率是2.3-2.5GHz，采用3.3V單電源供電，靜態工作電流是90mA，19dBm功率輸出時，EVM的值是-30dB，等等。
功放芯片的性能很重要，當然，在滿足性能的前提下，我們會選擇最便宜的
3.2. 功放芯片的供電
粵公網安備 44030902003195號