（1）科學家們預計，一旦THz輻射源、THz檢測技術等發展以后，THz可以在現代IT科學技術和工業領域有極強的競爭力。下面將要說明這種競爭實際上已經開始。
（2）隨著THz科學技術的發展，很多高科技公司相繼誕生，例如：英國Rultherford國家實驗室(Rutherford Appleton Lab（RAL）)及歐洲航天局(ESA)于2002年起，執行Star Ti ger 計劃成功后，建立了一個公司ThruVision公司，專門從事有關THz成像的商品化工作，開發出被動式THz成像儀，有以下特點： a．被動式不需要THz源；b．可實時成像。英國劍橋大學孵化出(Spinoff)一個高科技公司一TeraView Ltd．從事THz攝像機的開發；
（3）美國Michigen大學及Stanford大學孵化出Picometrix；Physicalscience Inc．；Calabazas Creek Res．Inc．等公司。基地設在加州的Picometrix公司的任務是“將THz科學技術交給政府及大學實驗室手中，以便他們用于各項研究工作”。
（4）日本也有很多公司，它們已經在從事包括高功率THz源在內的有關THz科學技術的研究、開發及成果的商業化等工作。可見，以THz科學技術為基礎的新一代IT產業已開始逐步形成。
E．研究THz技術本身就是一門重要的學科
如各種THz輻射的產生機制、超短脈沖THz的傳播和傳輸、THz與物質的相互作用等。
下面給出幾幅THz成像及THz波譜的結構框圖。其中，有一幅是JPL研制的150微米的THz成像框圖。由這些框圖可以看到THz成像和THz波譜的發展和應用。
同時也可以看到為了建立THz成像和THz波譜需要研究哪些THz器件和元件，如：THz源，THz檢測，混頻，THz傳輸、諧振等，以構成一個完整的THz成像和THz波譜系統。從下節起，我們將討論這些器件和元件。
四、太赫茲輻射源
有很多方法都可以產生THz輻射。
（1） 半導體THz源（包括THz量子級聯激光器等）。
（2） 基于光子學的THz發生器。
（3） 利用自由電子的THz輻射源（包括THz真空器件，電子回旋脈塞和自由電子激光）。
（4） 基于高能加速器的THz輻射源
不同的用途對THz源可能提出不同的要求。有點要求輸出功率較大，有的要求有較合適的頻率。
2002年在Nature上發表了兩篇THz源的重要文章。這兩篇文章對THz源的發展起到了很大的推動作用。
（1）“Terahertz semiconductor heterostructure laser”，Nature417，156－159，2002．By Italian and UK Scientists，Radiomen Kiblen etc，It is considered as a breakthrough in the Quantum cascade lasers．
（2）“High power Terahertz Radiation From RelativisticElectronics”，Nature 420，153—156，2002，這篇文章被Nature編輯部確定為“研究亮點(Research highlights)”．這項工作是由以下三個美國國家實驗室：Lawrence Livermoe，Brookhaven and Jeffersan NationalLabs完成的。
兩篇文章中一篇是有關量子級聯激光的突破，這是一種非常重要的半導體THz輻射源。另一篇是基于自由電子的有關高功率THz輻射的，結合了光子學和電子學技術。
1、半導體太赫茲源
固態THz源具有小巧、價格低廉和頻率可調的特點，是人們希望的一種THz源。但半導體器件的工作頻率難于達到1THz以上，而半導體THz激光器，特別是THz量子級聯激光器是目前的發展重點之一。第一篇關于量子級聯激光的文章有Melvin Lax等發表于1960年，其后于1994年起，Bell實驗室的J．Faist做了很多有益的工作（Science，264，22，1994)。在俄國這方面的工作也做了不少(Kazarinov，Sov．Phys．Semi．5，207，1971)，但實驗長期沒有突破。朗訊曾把QCL作為一個研發重點，但沒有結果。直至2002年由英國和意大利科學家獲得突破（Nature 417，156－159，2002）。
量子級聯激光器(QCL)是以異結構半導體（GaAs／AIGaAs）的導帶中的次能級間的躍遷為基礎的一種激光器。利用縱向光學聲子的諧振產生粒子數反轉。
2002年的結果是頻率4.4THz，溫度50K，脈沖功率20mW。
此后，很多國家都積極開展QCL的研究工作，采用了不同的材料。
到2004年，美國MIT最新的結果是：2.1 THz，CW功率lmW(溫度93K)，脈沖功率為20mW（溫度137K）。
到2005年，MIT QCL已經用于THz成像，可見THz技術發展的速度比我們想象的要快得多。
在我國，中國電子集團南京55所，渡越雪崩二極管可以做到0.1THz。中國科學院上海微系統研究所和中國科學院半導體研究所，已開展QCL的研究工作并已作出一定的成果。
半導體THz輻射源已安排了一個專題報告進行詳細論述。
2、基于光子學的太赫茲輻射源
飛秒激光脈沖的發展給THz源帶來了很大的機遇。已經發展了很多基于飛秒激光脈沖和非線性光學晶體的THz激光源。
如THz光導天線、光整流、非線性差頻、THz參量振蕩器和放大器（TPG，TPO，TPA）和光學Cherenkov輻射等等。
這種方法產生的THz輻射，可以是脈沖的，也可以是連續波的。
下圖表示光脈沖通過非線性光學晶體產生THz輻射的典型情況。差頻發生器（DEG），是一個三波混頻非線性過程。
這方面的研究工作，我國天津大學等單位，也已開展了研究工作，并作出了一定的成果。詳細內容將在專題報告中給出。
3、基于真空電子學的太赫茲源
近兒年來，隨著THz科學技術的迅速發展，利用真空電子學產生THz輻射的研究工作取得了很大的進步，其中包括真空電子器件、電子回旋脈塞、自由電子激光、Cherenkov輻射，甚至使用儲存環加速器來產生高亮度THz輻射。
某些真空電子器件如返波管（BWO）、擴展互作用振蕩器（E1O）、繞射輻射器件(Orotron)等的工作頻率己接近或達到1THz。
回旋管可望在1THz產生千瓦級的脈沖輸出，平均功率可達幾十瓦以上。
特別是由CIT的JPL實驗室等研究的“納米速調管”可望在1—3THz頻率上工作。納米速調管結合了電子學、光子學和微加工技術，是很有創新意義的一種新器件。
納米速調管由于使用微加工技術，所以保證每個納米速調管頻率和相位的一致性，因此可以組成納米速調管陣列，以大大提高輸出功率。利用構成THz陣列輻射源是提高THz輻射功率的一個重要途徑。
自由電子激光可工作于THz。自由電子激光的波長主要取決于搖擺器的周期和電子束的能量：
λ≈λω／4γ2 γ＝（1－β2）-1 β＝v/c
其中λw是搖擺器周期，γ是相對論因子。
今年1月13一14日，在美國Honolulu召開的THz輻射源研討會上，報告了一篇用lMeV靜電加速器的FEI，可以在2mm到500微米，（0.15—6）THz，產生lkW的準連續波輸出，這一結果被認為是迄今為止最重要的成果之一。
2002年，在Nature上發表的另一篇論文體現了電子學和光子學相結合的方法。利用飛秒激光照射GaAs光學晶體，發射出電子束，再用加速器將電子束加速到40MeV。電子在磁場作用下作旋轉運動從而發射出THz輻射，由于電子束的尺度遠小于波長，所以輻射是相干的。實驗結果可以得到20w連續波的THz輻射。所以，如前所述，Nature編輯部將這篇文章定為研究亮點。
我國真空電子器件已有相當好的基礎，回旋管的研究工作已在電子科技大學和中科院電子所進行，在0.1THz已作出近100KW脈沖輸出的回旋管。FEL己在中科院高能物理所、中國工程物理研究院、北京大學和電子科技大學進行，并取得一定的成果。
利用自由電子產生THz輻射的詳細論述將在另一專題報告中給出。
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