引言

在頻域、時域、阻抗域三種電學基本特性測試測量儀器中，以阻抗域測試測量儀器所用電路結構最復雜、測試操作最費時間、成套價格最高。目前能夠供應GHz級阻抗域測試測量儀器的公司亦為數不多，特別是矢量網絡分析儀(VNA)只有是德科技、羅德與施瓦茨、安立等幾家公司生產。VNA的最高帶寬達到65GHz，前端使用變頻器可將帶寬擴大至120GHz，成套售價在二十萬美元以上。

最簡單的一個物理同軸線連接點的二端口S散射矩陣見表達式(1)，它是由輸入端口和輸出端口的入射波和反射波來定義的四個Sij參數。每個端口的電壓V和電流I分別由入射波V+、I+和反射波V-、I-組成，即V=V++V-和I=I++I-。從表達式(1)和圖1a可知，S11是輸入端口電壓反射系數，S12是反向電壓增益，S21是正向電壓增益，S22是輸出端口電壓反射系數。全部S參數都是在同軸線的輸入和輸出阻抗匹配的條件下獲得的。

1a 二端口網絡

1b 四端口網絡

圖1 S 參數陣列

在圖1b四端口的情況下，S散射矩陣要復雜得多，它由二端口擴展而成，由四組共16個Sij參數來定義，見表達式(2)。

時域和頻域的變換和反變換

圖2 時域—頻域變換原理

數字取樣示波器主要用于測量快速瞬變的基本脈沖參數，如上升、下降、過沖、抖動時間等，還用了同軸線、電纜、微帶線、同軸元件和連接器等的時域反射(TDR)和時域傳輸(TDT)的特性，它的分辨率可達到1mm測量從短路到開路的反射系數、傳輸系數和阻抗。十年前，測試測量專家已證實通過TDR/TDT測量，借助FFT變換和反變換導出S參數是可行的。當時受到數字取樣示波器的等效帶寬不夠高，FFT變換的計算機運算時間不夠快，同軸校準元件不夠精確，只獲得實驗室的測量成果，等效帶寬在10GHz左右。現在測量條件有很大改進，基于TDR/TDT的S參數測量從實驗室成果變成實用成果。

圖3 時域反射/傳輸參數與S參數的類比

基于TDR/TDT的S參數測量的取樣數據首先從數字示波器獲得，然后利用計算程序將取樣數據變換成頻域的S參數。例如兩端口的4個TDR/TDT值分別相當于4個S參數，即正向TDR→S11，正向TDT→S21，反向TDR→S22，反向TDT→S12，如圖3所示。最簡單的測量配置是一臺具有TDR/TDT插件的數字取樣示波器，一臺快速階躍脈沖發生器，一套同軸線校準工具和時域—頻域變換程序，如圖4所示。射頻儀器的標準配置都是同軸線和同軸接頭輸出，即外殼接地的單端輸出，而不是差分的雙端輸出。為了測量平行微帶結構或差分信號，需要選用差分輸出的TDR/TDT插件。校準工具通常選用短路—開路—負載—直通(SOLT)校準技術，根據同軸線型號提供套件，目的是建立一個校準平面，消除測量系統引入的誤差，提高測量結果的準確性。校準平面實際上就是測量夾具與被測元器件之間的時間參考零點，校準平面前面的測量系統的輸出阻抗就應處于完全匹配狀態，如圖5所示。

圖4 時域反射測量系統的構成

圖5 時域反射測量系統的匹配

目前有三家測試測量儀器公司供應整套的基于TDR/TDT的S參數測量設備，它們是安捷倫公司的86100C系列數字取樣示波器和TDR模塊，泰克公司的DSA8200數字串行分析儀和80E10等TDR插件，力科公司的WaveExpert取樣示波器和ST—20 TDR模塊，以下簡要介紹它們的特性。

DCA86100主機還可配用86118A單端雙通道模塊，帶寬可達到70GHz，而且使用遠端探頭，縮短TDR/TDT參考平面與被測元件之間的距離。但是86118A的階躍脈沖發生器的上升時間約為25ps，為了充分發揮70GHz帶寬的S參數測量能力，需要使用上升時間<10ps的階躍脈沖發生器，安捷倫公司提供的第三方PSPL(皮秒實驗室)公司的4020脈沖增強模塊，能夠產生<9ps的階躍脈沖信號，配備86118A/4020模塊的基于TDR/TDT的S參數測量設備，代表當前達到的最高水平。

DSA8200采用基于TDR/TDT的S參數測量的軟件是IConnect，它的取樣點達到1M點，校準過程簡化，提高測量精度，縮短測量時間。DSA8200使用差分TDR/TDT測量方式獲得如下的S參數帶寬：

圖6 兩種測量方法獲得的S參數的符合程度

還有上面提到的PSPL公司是皮秒脈沖測量儀器供應商，產品包括通用和專用脈沖發生器和階躍脈沖發生器，取樣示波器模塊和取樣門等，用戶需要擴展以上三家S參數測量設備的特性或自行構建S參數測量設備，可考慮采用該公司的產品作為優選的部件。

基于TDR/TDT的S參數測量的誤區

為了正確使用基于TRD/TRT的S參數測量方法，需要避免一些錯誤概念，主要表現為：

第一，完全代替VNA。VNA能夠測量有源和無源的元器件，是阻抗域測量儀器中功能最全面，、最準確的設備。目前基于TRD/TRT的S參數測量只能夠解決同軸線、電纜等的無源S參數測量，而且以VNA作為測量對比的標準。

第二，選擇高取樣率的數字存儲示波器。數字存儲示波器的帶寬取決于取樣率的提高，但基于TRD/TRT的S參數測量的帶寬與取樣率無關，而取決于階躍脈沖的上升時間。因而，基于TRD/TRT的測量無需選用時域測量儀器中功能最全面，取樣率最高的數字存儲示波器，只要使用數字取樣示波器即可。

第三，VNA的背景噪聲最低。VNA使用帶通濾波器和數字濾波器，具有很低的背景噪聲。同樣數字取樣示波器使用多次平均運算，亦能顯著提高信噪比。VNA的低頻從100KHz或1MHz開始，而TRD/TRT的低頻一直延伸至DC，后者具有更好的低頻特性。

第四，基于TDR/TDT的測量的動態范圍較低。早期TDR/TDT測量的動態范圍只有40dB，近年來取得進展，在帶寬20GHz以上時動態范圍擴大到70dB，加上使用數據多次平均降噪技術，動態范圍進一步得到改善，為同軸線、微帶、電纜的S參數測量提供足夠的動態范圍。

結語

基于TDR/TDT的S參數測量是一種成功的測量技術，過去通過時域—頻域的變換和反變換使兩域溝通起來，現在通過時域—頻域變換—S參數運算使時、頻、阻抗三域溝通起來，域際互通測量技術的前景更加廣闊。

測試測量儀器中VNA是最高級和最昂貴的設備，一般實驗室沒有測量射頻/微波的S參數的的手段，而數字取樣示波器較容易擁有。已經證實，在數字取樣示波器基礎上構建的TDR/TDT，測量S參數設備，成本不到VNA 的一半。如果考慮到VNA的單臺價格20~30萬美元，則節省10~15萬美元是一筆可觀的經費。此外，VNA需要熟練的工程技術人員操作，測量時間要半小時以上，基于TDR/TDT的S參數測量的操作比較簡單，測量時間只要幾分鐘，的確是省錢、省力、省時的測量方法。