S參數是RF工程師/SI工程師必須掌握的內容，業界已有多位大師寫過關于S參數的文章，即便如此，在相關領域打滾多年的人， 可能還是會被一些問題困擾著。你懂S參數嗎?（ 圖文解說S參數（基礎篇） ）請繼續往下看...臺灣同行圖文獨特講解！

本文目錄：

1. 前言

2. 個別S參數與串聯S參數的差別

3. 雙埠S參數對地回路效應的處理

4. 兩個2-port S參數，有可能組成一個4-port S參數嗎?

5. 全3D模型的S參數，與分開的3D模型S參數串連的差別?

6. Port阻抗的設定，對S參數本質上，與S參數的使用上，有沒有影響?

7. Export S參數模型時，有沒有做port renormalize to 50 ohm，對使用S參數有沒有影響?

8. 問題與討論

1. 前言

S參數是SI與RF領域工程師必備的基礎知識，大家很容易從網絡或書本上找到S,Y,Z參數的說明，筆者也在多年前寫了S參數 -- 基礎篇。但即使如此，在相關領域打滾多年的人， 可能還是會被一些問題困擾著。你懂S參數嗎? 請繼續往下看...

2. 個別S參數與串聯S參數的差別

問題1：為何有時候會遇到每一段的S參數個別看都還好，但串起來卻很差的情況(loss不是1+1=2的趨勢)?

Quick answer : 如果每一線段彼此連接處的real port Zo是匹配的，那loss會是累加的趨勢，但若每一線段彼此連接處的real port Zo差異很大，那就會看到loss不是累加的趨勢，因為串接的接面上會有多增加的反射損失。

2.1 下圖所示的三條傳輸線

Line1是一條100mm長，特性阻抗設計在50ohm的微帶線，左邊50mm，右邊50mm。

Line2也是一條100mm長的微帶線，左邊50mm維持特性阻抗50ohm，但右邊50mm線寬加倍，特性阻抗變 小到33。

Line3也是一條100mm長的微帶線，左邊50mm維持特性阻抗50ohm，但右邊50mm線寬加倍，特性阻抗變 小到33，且呈135o轉折。

?觀察Line1的S21發現，左右兩段的S參數有累加特性

?觀察Line2, Line3的S21發現， 整條線的S參數比起左右兩段個別看的S參數之累加差一些

?問題2：為何各別抽BGA與PCB的S參數后，在Designer內串接看總loss，與直接抽BGA+PCB看S參數的結果不同?

Quick answer : 這與結構在3D空間上的交互影響，還有下port位置有時也有影響。

2.2 下圖所示是兩層板BGA封裝，放上有完整參考平面的PCB兩層板， 這是在消費性電子產品很常見的應用條件。

黃色是高速的差動對訊號，其在PCB上走線的部分，有很好的完整參考平面，但在BGA端則完全沒有參考平面。

?HFSS 3D Layout模擬結果

3. 雙埠S參數對地回路效應的處理

問題1：RLC等效電路可以估出訊號線與地回路每一段的RLC特性，但S參數卻不行，原因是什么? S參數帶有地回路的寄生效應嗎?

Quick answer : RLC等效電路是terminal base model，而S參數是port base model，后者看的昰一個port的正負兩端之間的差值。所以S參數雖然有含地回路(return path)寄生效應，但無法單獨分離出地回路的影響。

問題2：在Designer匯入S參數模型時，可以選擇該S參數的電路符號要不要有每一個port的reference ground (negative terminal)，或是使用common ground，使用common ground是否表示把每個port的negative terminal短路，會忽略地回路的寄生效應嗎?

Quick answer : 使用common ground，并不會把return path兩端short，S參數本身已經內含地回路的效應。

4. 兩個2-port S參數，有可能組成一個4-port S參數嗎?

Quick answer : No. 一個2-port S參數，內涵2x2 (4) matrix單元，即S11, S12, S21, S22，而一個4-port S參數，需內涵4x4 (16) matrix單元。所以明顯的，當有兩條線的兩個2-port S參數，并不足以充分且唯一定義一個4-port S參數，即這兩條'之間'的近端耦合與遠程耦合條件并未被定義。換言之，一個4-port S參數可以簡化(reduce order)分離出兩個2-port S參數，但反之不然。

5. 全3D模型的S參數，與分開的3D模型S參數串連的差別

常見的問題是：封裝與PCB板單獨抽S參數后，再于電路仿真軟件串接S參數，這樣的做法跟把封裝與PCB直接在仿真軟件中3D貼合抽S參數會有怎樣的差異?

Quick answer : 封裝與PCB間在Z軸上的空間耦合路徑，只有把封裝與PCB直接在仿真軟件中3D貼合抽S參數時，才會被考慮。這樣的做法當然是最準的做法，但需不需要每個案子都一定 非得這么做不可，其實取決于結構與帶寬考慮。當這條路徑的耦合效應影響，在您所設計的結構下，在一定帶寬以上的影響不能被忽略時，就必須考慮。

6. Port阻抗的設定，對S參數本質上，與S參數的使用上，有沒有影響?

Quick answer : 雖然renormalize不同的port阻抗，會得到不同的S參數曲線，但該N-port model所定義的物理效應本質上是相同的。所以對于model的使用，理論上沒影響，但實際上 因為tool的transient analysis的數值處理能力(fitting ability)不同，有些時候有影響。

打個比方，在SIwave v4.0很早期的文件，會建議訊號的port阻抗設50ohm，而電源的port阻抗設0.1~1ohm，但目前的SIwave其實就不需要特別這么做，即你可以延續之前的設定習慣，或是全部都renormalize 50ohm，SIwave吐出的S參數代到Designer去用，都可以得到一樣的結果。如果您使用其他的tool有遇到設不同的port阻抗，得到時域模擬結果不同的情況，建議您可以試試SIwave.

7.Export S參數模型時，有沒有做port renormalize to 50ohm，對使用S參數有沒有影響？

Quick answer : No

8. 問題與討論

8.1 S參數無法匯入怎么辦?

Ans：首先檢查tool是否反饋任何錯誤訊息，再來以文本編輯器打開該S參數，檢查其頻點描述定義是否是遞增排列(frequency monotonicity)。會出現這種烏龍錯誤，通常是有人手動編輯去修改S參數造成。

8.2 S參數因為port數過多導致模擬耗時怎么辦?

Ans：遇到S參數模擬耗時，首先我會檢查該S參數是否有passivity與causality issue，或是在Designer模擬過程中，注意看看是否在state-space fitting process卡很久。遇到多埠S參數，則試著轉成state space model (.sss)，仿真速度會加快不少，而透過SIwave或NdE轉state space model的程序中，建議只勾enforce passivity，不用勾enforce causality，這樣也會節省不少時間。(因為state space algorithm本身就滿足primitive causality，所以不用擔心其因果性問題)

?8.3 Toushstone1.0(TS1.0)與TS2.0主要有何差別?

Ans：TS2.0 (.ts)支持mixed reference impedance，而TS1.0 (.snp)每個port的reference impedance都要是相同的50ohm. 以SIwave為例：

?以Designer內NdE (Network Data Explorer)為例

?不管原本在SIwave或HFSS的port設定是否有指定renormalize，最后要export時還可以再決定要不要overwrite renormalize

8.4 Touchstone file可以設定noise data，那是什么東西，何時使用?

Ans：這是在TS1.0就有定義的功能，可以對Touchstone file附加noise data定義，一般用于主動組件的S參數模型

當你在Designer匯入S參數模型時，可以右鍵單擊[Edit Model]檢視noise data (如果有的話).

?8.5 為何在2.2的例子，BGA與PCB各別S參數的loss累加(-0.29-0.8=-1.09)反而是比整個3D model一起看所得到的S參數(-1.06)來的差?

Ans：當BGA與PCB做3D結合的條件下去抽S參數時，此時原本沒有參考平面的BGA上走線，會看到一些PCB上的平面透過solder ball所貢獻的些微回流路徑效應。這點我們也可以透過觀察Z11(Z profile)來驗證。

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來源：信號完整性之旅